[发明专利]成膜装置、成膜制品的制造方法及电子零件的制造方法有效
申请号: | 201710478264.1 | 申请日: | 2017-06-21 |
公开(公告)号: | CN107541707B | 公开(公告)日: | 2020-11-10 |
发明(设计)人: | 伊藤昭彦 | 申请(专利权)人: | 芝浦机械电子装置株式会社 |
主分类号: | C23C14/34 | 分类号: | C23C14/34;C23C14/56;C23C14/04 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 杨贝贝;臧建明 |
地址: | 日本神奈川县横*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 装置 制品 制造 方法 电子零件 | ||
1.一种成膜装置,其特征在于,包括:
腔室,其为供溅射气体导入的容器;
搬送部,设置在所述腔室内,具有以圆周的轨迹循环搬送工件的旋转台;
多个成膜处理部,具有靶材、与对所述靶材施加电压的电源部、且具有通过溅射而使多种成膜材料分别堆积于由所述搬送部循环搬送的所述工件来进行成膜的溅射源,并且具有划分部,所述划分部对利用所述溅射源使所述工件成膜的成膜部位加以划分,空出所述工件经过的空隙,并与旋转台对向;以及
控制装置,控制所述电源部与所述搬送部,其中
所述多个成膜处理部包含:在所述多种成膜材料中的一种成膜材料进行成膜时,通过所述控制装置而经选择的两个以上的成膜处理部及不进行成膜的成膜处理部,
所述划分部是为了对各成膜处理部加以划分而配置,以使得所述圆周的轨迹中,在利用所述两个以上的成膜处理部而将所述一种成膜材料成膜中的成膜部位以外的区域经过的轨迹比在利用所述两个以上的成膜处理部而将所述一种成膜材料成膜中的成膜部位的区域经过的轨迹更长,
所述控制装置在以1μm~10μm的膜厚形成所述一种成膜材料的膜的方式进行成膜的期间,
以下述的方式来控制所述电源部:于所述两个以上的成膜处理部对所述靶材施加电压,而不进行对所述不进行成膜的成膜处理部的所述靶材的电压的施加;且
以下述的方式来控制所述搬送部:以所述工件经过所述一种成膜材料成膜中的成膜部位的区域、经过所述一种成膜材料成膜中的成膜部位以外的区域、且再次到达所述一种成膜材料成膜中的成膜部位的方式,以循环而反复进行成膜的方式搬送所述工件。
2.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于:所述多个成膜处理部通过使成膜材料选择性堆积,而形成包含所述多种成膜材料的层的膜。
3.根据权利要求1所述的成膜装置,其特征在于:所述多个成膜处理部具有对应于不同种类的成膜材料的溅射源,通过使成膜材料一种一种地选择性堆积,而形成包含所述多种成膜材料的层的膜。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置,其特征在于:若将所述工件以圆周的轨迹,在溅射成膜中的所述成膜部位经过的时间设为T1、将所述成膜中的成膜部位以外的区域经过的时间设为T2,则为0.6:10≦T1:T2<1:1。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置,其特征在于:所述圆周的轨迹中,在溅射成膜中的所述成膜部位经过的轨迹对应于圆心角为20°~150°的一部分圆的区域。
6.根据权利要求1至3中任一项所述的成膜装置,其特征在于:形成最厚层的成膜材料的所述成膜部位在所述圆周的轨迹上所占的比例大于形成其他层的成膜材料的成膜部位所占的比例。
7.根据权利要求6所述的成膜装置,其特征在于:所述形成最厚层的成膜材料为用作电磁波屏蔽的材料。
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