[发明专利]用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构

说明书

本发明涉及一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：一接触金属层、至少一应力平衡层以及一晶粒粘着层。其中接触金属层形成于一化合物半导体晶圆的一下表面；至少一应力平衡层形成于接触金属层的一下表面，其中至少一应力平衡层为至少一导电材料；晶粒粘着层形成于至少一应力平衡层的一下表面，其中晶粒粘着层为一导电材料。本发明通过在接触金属层以及晶粒粘着层之间插入至少一应力平衡层，借此平衡化合物半导体晶圆所受的应力，以减少化合物半导体晶圆的变形。

技术领域

本发明涉及一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，尤其涉及一种用以平衡化合物半导体晶圆应力的改良结构。

背景技术

在一化合物半导体晶圆上形成集成电路的制程中，或多或少都会在累积应力，使得化合物半导体晶圆承受一应力。在一些状况下，会使得化合物半导体晶圆承受较大的应力，例如，于化合物半导体晶圆之上形成一应力薄膜，或是于化合物半导体晶圆上成长具应力的磊晶结构。而这应力若无法妥善平衡，则会造成化合物半导体晶圆的弓翘(Bowing)变形，甚至在化合物半导体晶圆的边缘处造成破碎。此外，在化合物半导体晶圆的薄化制程后，由于化合物半导体晶圆的厚度变薄，因而使得化合物半导体晶圆更无法平衡原先所承受的应力，进而造成化合物半导体晶圆的弓翘变形更为严重，或甚至在化合物半导体晶圆的边缘处造成破碎。

以化合物半导体晶圆的尺寸来说，当化合物半导体晶圆的直径小于3英寸时，应力造成化合物半导体晶圆的弓翘变形较不明显。而当化合物半导体晶圆的直径大于3英寸时，例如4英寸、5英寸、6英寸或更大的，应力造成化合物半导体晶圆的弓翘变形就非常显著。

一般而言，由于在化合物半导体晶圆上形成集成电路时，常需要有多层的磊晶结构，也因此，相对于在硅半导体晶圆上形成硅半导体集成电路的制程中，化合物半导体晶圆所承受的应力通常会比硅半导体晶圆所承受的应力相对大许多。在一现有技术中，公开一改善结构，以平衡硅半导体晶圆所受的应力。请参见图3，为一现有技术的硅半导体晶圆的改良结构的剖面示意图。一集成电路11形成于一硅半导体晶圆10的一上表面101。一应力平衡层12形成于硅半导体晶圆10的一下表面102，以平衡硅半导体晶圆10于形成集成电路11的制程过中所累积的应力。然则现有技术并未公开如何有效平衡化合物半导体晶圆所受应力的结构(化合物半导体晶圆所受的应力更大于硅半导体晶圆所受的应力)。

此外，若要应用现有技术的硅半导体晶圆的改良结构在化合物半导体晶圆时，当需要在一化合物半导体晶圆的一下表面形成一导电层以作为导电用途时，或是需要在化合物半导体晶圆的下表面形成一金属层，使得金属层与化合物半导体晶圆的下表面形成欧姆接触，而金属层得以形成一欧姆电极，则因现有技术应力平衡层12直接形成于晶圆的下表面，而无法达成需求。

有鉴于此，发明人开发出简便组装的设计，能够避免上述的缺点，安装方便，又具有成本低廉的优点，以兼顾使用弹性与经济性等考量，因此遂有本发明的产生。

发明内容

本发明所欲解决的技术问题在于如何于一化合物半导体晶圆的一下表面形成一改良结构，使得改良结构包含至少一应力平衡层以及一金属层，使得改良结构同时具有应力平衡以及导电的功能。

为解决前述问题，以达到所预期的功效，本发明提供一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：一接触金属层、至少一应力平衡层以及一晶粒粘着层。其中接触金属层形成于一化合物半导体晶圆的一下表面。其中至少一应力平衡层形成于接触金属层的一下表面，其中至少一应力平衡层为至少一导电材料。其中晶粒粘着层形成于至少一应力平衡层的一下表面，其中晶粒粘着层为一导电材料。通过在接触金属层以及晶粒粘着层之间插入至少一应力平衡层，借此平衡化合物半导体晶圆所受的应力，以减少化合物半导体晶圆的变形。由于接触金属层、至少一应力平衡层以及晶粒粘着层皆为导电材料，因此本发明的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构同时具有应力平衡以及导电的功能。