[发明专利]用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构

权利要求书

1.一种用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，包括：

一接触金属层，形成于一化合物半导体晶圆的一下表面；

至少一应力平衡层，形成于所述接触金属层的一下表面，其中所述至少一应力平衡层为至少一导电材料；以及

一晶粒粘着层，形成于所述至少一应力平衡层的一下表面，其中所述晶粒粘着层为一导电材料；

通过在所述接触金属层以及所述晶粒黏着层之间插入所述至少一应力平衡层，借此平衡所述化合物半导体晶圆所受的应力，以减少所述化合物半导体晶圆的变形。

2.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述接触金属层与所述化合物半导体晶圆的所述下表面形成一欧姆接触，使得所述接触金属层形成一欧姆电极。

3.根据权利要求2所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述欧姆电极用于至少一二极管，其中所述至少一二极管包括选自以下群组的至少一个：一PN二极管、一萧基二极管、一发光二极管、一激光二极管、一垂直共振腔发射型激光二极管、一光电二极管、一变容二极管、一变阻二极管、一恒流二极管以及一稳压二极管。

4.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述化合物半导体晶圆的一厚度大于或等于25μm且小于或等于350μm。

5.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述化合物半导体晶圆的一直径大于或等于3英寸。

6.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述化合物半导体晶圆的材料包括选自以下群组的一种：砷化镓、蓝宝石、磷化铟、磷化镓、碳化硅、氮化镓、氮化铝、硒化锌、砷化铟、锑化镓。

7.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述接触金属层的材料包括选自以下群组的至少一种：钯、锗、镍、钛、铂、金以及银。

8.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述至少一应力平衡层的材料包括选自以下群组的至少一种：金属以及金属合金。

9.根据权利要求8所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述至少一应力平衡层的材料包括选自以下群组的至少一种：钛、钛合金、钨、钨合金、金、金合金、钛钨合金、钛钨氮合金、钨氮合金。

10.根据权利要求8所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述至少一应力平衡层以溅镀或电镀方式形成于所述接触金属层的所述下表面。

11.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述晶粒粘着层的材料包括选自以下群组的至少一种：金、金合金、银、银合金、锡、锡合金、银胶。

12.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述至少一应力平衡层的一厚度大于或等于50nm且小于或等于5μm。

13.根据权利要求1所述的用以减少化合物半导体晶圆变形的改良结构，其中所述至少一应力平衡层的热传导系数大于或等于10W/m-K。