[发明专利]一种晶圆级封装红外探测器的封装方法

说明书

技术领域

本发明属于探测器封装技术领域，涉及一种红外探测器的封装方法，具体涉及一种晶圆级封装红外探测器的封装方法。

背景技术

红外探测器用于红外线的探测。目前市场上的主流红外探测器主要是采用金属封装的红外探测器和采用陶瓷封装的红外探测器。但是，红外探测器对封装的要求较高，一方面对真空有很高的要求，通常情况下真空度不能高于5pa，另一方面对红外线的透过率要求较高。这两个方面的要求导致现有的采用金属封装的红外探测器和采用陶瓷封装的红外探测器的质量很不稳定，难以满足要求。

尤其是，随着红外探测器的日趋小型化，采用金属封装的红外探测器和采用陶瓷封装的红外探测器越来越难以满足高质量和小型化的需求。

鉴于现有技术的上述技术缺陷，迫切需要研制一种新型的红外探测器封装方法。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术的上述缺陷，提供一种晶圆级封装红外探测器的封装方法，其能实现红外探测器的晶圆级封装，且其对位精度高，生产效率高，产品质量稳定。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种晶圆级封装红外探测器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、在硅窗上蒸镀好吸气材料并在真空条件下将硅窗与晶圆进行对准；

(2)、在硅窗与晶圆对准后，在真空条件下对硅窗进行加热，激活所述吸气材料；

(3)、所述吸气材料激活后，对硅窗进行施压键合，完成封装；

(4)、封装后对晶圆进行切割，分割成单只晶圆级封装红外探测器；

(5)、对单只晶圆级封装红外探测器进行测试，测试合格后即获得成品。

进一步地，其中，所述步骤(1)具体为：预先在硅窗和晶圆的表面上做好标记位并在硅窗的四周内侧蒸镀好吸气材料，然后在真空度＜1*10^-4pa的真空腔室内使硅窗和晶圆依靠所述标记位通过图像识别方式进行自动对准。

更进一步地，其中，所述步骤(2)中的真空条件为真空度＜1*10^-4pa，加热时的加热温度为300-330℃。

再进一步地，其中，所述步骤(3)中的施压键合具体为：采用和硅窗的面积相当的压板对硅窗表面均匀施加2KN-30KN的压力，施压的同时进行330-400℃的加热，施压的时间10-90min。

再更进一步地，其中，所述步骤(4)中的对晶圆进行切割为采用砂轮式划片机对晶圆进行切割。

此外，其中，所述步骤(5)中的对单只晶圆级封装红外探测器进行测试为对单只晶圆级封装红外探测器的参数和性能进行测试。

进一步地，其中，在所述步骤(1)之前，首先通过蚀刻工艺在所述硅窗上制作出红外光透光窗口。

更进一步地，其中，所述晶圆为6寸、8寸或12寸的晶圆。

与现有的封装方法相比，本发明的晶圆级封装红外探测器的封装方法具有如下有益技术效果：

1、其能够实现红外探测器的高可靠性的晶圆级封装。

2、其采用标记位，通过图像识别方式自动实现对位，能提高对位精度。

3、其在充分保证产品性能的同时，大大降低生产成本。

附图说明

图1为本发明的晶圆级封装红外探测器的封装方法的流程图。

图2为晶圆级封装红外探测器的外观示意图。

图3为图2的纵向剖视图。

其中，需要说明的是，为了清楚地示出所述晶圆级封装红外探测器的结构，图2和图3不是按照同一比例绘制的。

具体实施方式

下面结合附图和实施例对本发明进一步说明，实施例的内容不作为对本发明的保护范围的限制。

图1示出了本发明的晶圆级封装红外探测器的封装方法的流程图。如图1所示，本发明的晶圆级封装红外探测器的封装方法包括以下步骤：

首先、在硅窗上蒸镀好吸气材料并在真空条件下将硅窗与晶圆进行对准。

在本发明中，具体地，预先在硅窗和晶圆的表面上做好标记位并在硅窗的四周内侧蒸镀好吸气材料。然后，在真空度＜1*10^-4pa的真空腔室内使硅窗和晶圆依靠所述标记位通过图像识别方式进行自动对准。由于采用图像识别方式进行自动对位，因此，其对位精度高。

其次、在硅窗与晶圆对准后，在真空条件下对硅窗进行加热，激活所述吸气材料。