[发明专利]一种晶圆级封装红外探测器的封装方法

权利要求书

1.一种晶圆级封装红外探测器的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

(1)、在硅窗上蒸镀好吸气材料并在真空条件下将硅窗与晶圆进行对准；

(2)、在硅窗与晶圆对准后，在真空条件下对硅窗进行加热，激活所述吸气材料；

(3)、所述吸气材料激活后，对硅窗进行施压键合，完成封装；

(4)、封装后对晶圆进行切割，分割成单只晶圆级封装红外探测器；

(5)、对单只晶圆级封装红外探测器进行测试，测试合格后即获得成品。

2.根据权利要求1所述的晶圆级封装红外探测器的封装方法，其特征是，所述步骤(1)具体为：预先在硅窗和晶圆的表面上做好标记位并在硅窗的四周内侧蒸镀好吸气材料，然后在真空度＜1*10^-4pa的真空腔室内使硅窗和晶圆依靠所述标记位通过图像识别方式进行自动对准。

3.根据权利要求2所述的晶圆级封装红外探测器的封装方法，其特征是，所述步骤(2)中的真空条件为真空度＜1*10^-4pa，加热时的加热温度为300-330℃。

4.根据权利要求3所述的晶圆级封装红外探测器的封装方法，其特征是，所述步骤(3)中的施压键合具体为：采用和硅窗的面积相当的压板对硅窗表面均匀施加2KN-30KN的压力，施压的同时进行330-400℃的加热，施压的时间10-90min。

5.根据权利要求4所述的晶圆级封装红外探测器的封装方法，其特征是，所述步骤(4)中的对晶圆进行切割为采用砂轮式划片机对晶圆进行切割。

6.根据权利要求5所述的晶圆级封装红外探测器的封装方法，其特征是，所述步骤(5)中的对单只晶圆级封装红外探测器进行测试为对单只晶圆级封装红外探测器的参数和性能进行测试。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的晶圆级封装红外探测器的封装方法，其特征是，在所述步骤(1)之前，首先通过蚀刻工艺在所述硅窗上制作出红外光透光窗口。

8.根据权利要求7所述的晶圆级封装红外探测器的封装方法，其特征是，所述晶圆为6寸、8寸或12寸的晶圆。