[发明专利]基于喷墨打印技术的像素结构及其制作方法有效
申请号: | 201710464655.8 | 申请日: | 2017-06-19 |
公开(公告)号: | CN107195796B | 公开(公告)日: | 2019-01-01 |
发明(设计)人: | 方俊雄;吴元均;吕伯彦 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56 |
代理公司: | 北京聿宏知识产权代理有限公司 11372 | 代理人: | 吴大建;王浩 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 喷墨 打印 技术 像素 结构 及其 制作方法 | ||
1.基于喷墨打印技术的像素结构的制作方法,包括以下步骤:
步骤S1:采用金属氧化物半导体材料在基板上成膜形成阳极层,阳极层图形化;
步骤S2:在阳极上形成光阻层并图形化,图形化的光阻层对阳极层进行局部覆盖;
步骤S3:对步骤S2中的未被光阻层覆盖的部分阳极层进行导体化,然后去除光阻层;
步骤S4:在阳极层上形成像素定义层,在像素定义层上形成多个间隔设置的通孔,通孔处阳极层暴露,暴露部分的阳极层为限定出的像素区域;
步骤S5:在步骤S4中所述的像素区域内,喷墨打印形成有机功能层;
其中,被导体化的部分阳极层为导体区,未被导体化的局部阳极层为半导体区,每个所述像素区域中部位置为半导体区。
2.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,步骤S1中的金属氧化物半导体材料为铟镓锌氧化物、铟锡锌氧化物、铟镓锡锌氧化物或铟铝氧化物。
3.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,步骤S2中的光阻层由光刻胶涂布形成。
4.根据权利要求3所述的制作方法,其特征在于,步骤S2中所述图形化的光阻层为间隔平行设置的条状结构。
5.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,步骤S3中采用等离子体轰击或离子注入的方法进行导体化。
6.根据权利要求1所述的制作方法,其特征在于,步骤S4中所述像素定义层由亚克力系材料或聚酰亚胺树脂涂布形成。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的制作方法,其特征在于,步骤S5中的有机功能层包括阳极层上依次设置的空穴注入层、空穴传输层和发光层。
8.根据权利要求7所述的制作方法,其特征在于,还包括以下步骤:
步骤S6:在步骤5中所述的发光层上依次形成电子传输层、电子注入层和阴极层。
9.根据权利要求8所述的制作方法,其特征在于,所述电子传输层、电子注入层和阴极层采用蒸镀方法形成。
10.基于喷墨打印技术的像素结构,其特征在于,根据权利要求1至9中任一项所述的制作方法制得。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电技术有限公司,未经深圳市华星光电技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710464655.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种电解锰渣砖及其制备工艺
- 下一篇:一种室内外找平贴砖砂浆材料
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择