[发明专利]一种铈离子掺杂多组分石榴石结构闪烁晶体的生长方法在审

专利信息
申请号: 201710464164.3 申请日: 2017-06-19
公开(公告)号: CN107245759A 公开(公告)日: 2017-10-13
发明(设计)人: 屈菁菁;丁雨憧;刘军;付昌禄 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第二十六研究所
主分类号: C30B29/28 分类号: C30B29/28;C30B15/00;C30B28/02
代理公司: 重庆博凯知识产权代理有限公司50212 代理人: 孙根
地址: 400060 *** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 一种 离子 掺杂 组分 石榴石 结构 闪烁 晶体 生长 方法
【权利要求书】:

1.一种铈离子掺杂多组分石榴石结构闪烁晶体的生长方法,其特征在于:包括如下步骤:

1)根据(CexGd1-x3(AlyGa1-y)5O12中铈离子和铝离子浓度计算各原材料的质量百分比,其中,所述原材料包括Gd2O3、Al2O3、Ga2O3和CeO2

2)根据各原材料的质量百分比称取纯度为99.99%的Gd2O3、Al2O3、Ga2O3、CeO2粉末原料,并将Al2O3、Ga2O3、CeO2粉末原料置于马弗炉中,在1200°C下煅烧12h;

3)将各粉末原料放入坩埚内,并置于生长炉的炉膛中,将籽晶杆与坩埚对中,然后对炉膛抽真空;

4)向炉膛内冲入保护气体,并使炉膛内的压力范围为1—10Mpa;

5)利用中频感应加热技术对坩埚进行加热到1850℃,待粉末原料完全熔化后,降温20-30℃,并稳定0.5-1h,然后将籽晶杆向下移动直至与液面接触,稳定一段时间后,进行提拉引晶;

6)提拉0.5~2小时后,将加热温度降低5-10°C,使晶体逐渐沿径向长大;

7)根据晶体的生长情况,调节加热温度至晶体结晶点±5℃以内,使晶体等径生长;

8)当晶体生长到预定长度后,保持提拉速度,并提高升温效率,直至晶体下端呈平界面或微凸界面时,停止提拉;

9)转入退火阶段,直至晶体温度缓慢降至室温;

10)最后,待退火结束后,打开炉膛,取出生长成型的晶体。

2.根据权利要求1所述的一种铈离子掺杂多组分石榴石结构闪烁晶体的生长方法,其特征在于:所述保护气体为纯Ar、纯N2、或者纯He;或者Ar、N2、He三种气体任意一种与CO2的混合气体,且CO2体积比在50%以内;或者Ar、N2、He三种气体任意一种与O2的混合气体,且O2体积比在5%以内。

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