[发明专利]一种铈离子掺杂多组分石榴石结构闪烁晶体的生长方法在审
| 申请号: | 201710464164.3 | 申请日: | 2017-06-19 |
| 公开(公告)号: | CN107245759A | 公开(公告)日: | 2017-10-13 |
| 发明(设计)人: | 屈菁菁;丁雨憧;刘军;付昌禄 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第二十六研究所 |
| 主分类号: | C30B29/28 | 分类号: | C30B29/28;C30B15/00;C30B28/02 |
| 代理公司: | 重庆博凯知识产权代理有限公司50212 | 代理人: | 孙根 |
| 地址: | 400060 *** | 国省代码: | 重庆;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 离子 掺杂 组分 石榴石 结构 闪烁 晶体 生长 方法 | ||
1.一种铈离子掺杂多组分石榴石结构闪烁晶体的生长方法,其特征在于:包括如下步骤:
1)根据(CexGd1-x)3(AlyGa1-y)5O12中铈离子和铝离子浓度计算各原材料的质量百分比,其中,所述原材料包括Gd2O3、Al2O3、Ga2O3和CeO2;
2)根据各原材料的质量百分比称取纯度为99.99%的Gd2O3、Al2O3、Ga2O3、CeO2粉末原料,并将Al2O3、Ga2O3、CeO2粉末原料置于马弗炉中,在1200°C下煅烧12h;
3)将各粉末原料放入坩埚内,并置于生长炉的炉膛中,将籽晶杆与坩埚对中,然后对炉膛抽真空;
4)向炉膛内冲入保护气体,并使炉膛内的压力范围为1—10Mpa;
5)利用中频感应加热技术对坩埚进行加热到1850℃,待粉末原料完全熔化后,降温20-30℃,并稳定0.5-1h,然后将籽晶杆向下移动直至与液面接触,稳定一段时间后,进行提拉引晶;
6)提拉0.5~2小时后,将加热温度降低5-10°C,使晶体逐渐沿径向长大;
7)根据晶体的生长情况,调节加热温度至晶体结晶点±5℃以内,使晶体等径生长;
8)当晶体生长到预定长度后,保持提拉速度,并提高升温效率,直至晶体下端呈平界面或微凸界面时,停止提拉;
9)转入退火阶段,直至晶体温度缓慢降至室温;
10)最后,待退火结束后,打开炉膛,取出生长成型的晶体。
2.根据权利要求1所述的一种铈离子掺杂多组分石榴石结构闪烁晶体的生长方法,其特征在于:所述保护气体为纯Ar、纯N2、或者纯He;或者Ar、N2、He三种气体任意一种与CO2的混合气体,且CO2体积比在50%以内;或者Ar、N2、He三种气体任意一种与O2的混合气体,且O2体积比在5%以内。
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