[发明专利]集成电路器件及其制造方法

说明书

本公开提供了集成电路器件及其制造方法。一种集成电路器件包括：第一鳍型有源区，在基板的第一区域中，第一鳍型有源区具有第一凹陷，该第一凹陷填充有第一源极/漏极区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个下部侧壁；第二鳍型有源区，在基板的第二区域中，第二鳍型有源区具有第二凹陷，该第二凹陷填充有第二源极/漏极区；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个下部侧壁；以及鳍绝缘间隔物，在第一器件隔离层上，鳍绝缘间隔物覆盖第一源极/漏极区下面的第一鳍型有源区的侧壁。

技术领域

本发明构思涉及一种集成电路器件及其制造方法，更具体地，涉及包括场效应晶体管的集成电路器件及其制造方法。

背景技术

近来，由于电子技术的快速发展，半导体器件的按比例缩小已经以快的速度持续地进行。然而，由于半导体器件的小型化，各种缺陷诸如短路可能在器件的密集结构区域和/或不规则结构区域中发生，并且所导致的缺陷会降低半导体器件的可靠性并且会降低其操作准确性。由于半导体器件需要快的操作速度以及操作准确性，所以正在进行对于优化半导体器件中包括的晶体管的结构的各种研究。

发明内容

本发明构思提供一种具有以下结构的集成电路器件，该结构使该集成电路器件中的单元器件能够保证根据单元器件的种类和结构所需要的不同电性能，从而提高集成电路器件的可靠性。本发明构思还提供制造该集成电路器件的方法，该方法可以包括低成本的简化工艺。

根据本发明构思的一个方面，提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：基板，具有第一区域和第二区域；第一鳍型有源区，在第一区域中，第一鳍型有源区包括具有第一凹陷的第一鳍部分，第一凹陷填充有第一源极/漏极区；第一器件隔离层，覆盖第一鳍型有源区的两个下部侧壁；第二鳍型有源区，在第二区域中，第二鳍型有源区包括具有第二凹陷的第二鳍部分，第二凹陷填充有第二源极/漏极区；第二器件隔离层，覆盖第二鳍型有源区的两个下部侧壁；以及鳍绝缘间隔物，覆盖第一鳍型有源区的第一侧壁和第二鳍型有源区的第二侧壁中的至少一个，第一鳍型有源区的第一侧壁在第一器件隔离层和第一凹陷之间，第二鳍型有源区的第二侧壁在第二器件隔离层和第二凹陷之间。

根据本发明构思的另一个方面，提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：第一鳍型有源区，在基板的第一区域中，第一鳍型有源区从基板突出并具有第一沟道区域和第一凹陷；第一器件隔离层，在第一区域中，第一器件隔离层覆盖第一鳍型有源区的两个下部侧壁；第一栅线，在第一器件隔离层上，第一栅线覆盖第一沟道区域；第一源极/漏极区，在第一凹陷中；第二鳍型有源区，在基板的第二区域中，第二鳍型有源区从基板突出并具有第二沟道区域和第二凹陷，基板的第二区域与基板的第一区域间隔开；第二器件隔离层，在第二区域中，第二器件隔离层覆盖第二鳍型有源区的两个下部侧壁；第二栅线，在第二器件隔离层上，第二栅线覆盖第二沟道区域；第二源极/漏极区，在第二凹陷中；鳍绝缘间隔物，仅在第一区域和第二区域当中的第一区域中，鳍绝缘间隔物覆盖第一鳍型有源区的在第一器件隔离层和第一源极/漏极区之间的两个侧壁。

根据本发明构思的另一个方面，提供一种集成电路器件，该集成电路器件包括：第一鳍型有源区，在基板的第一区域中，第一鳍型有源区从基板突出并具有第一沟道区域和第一凹陷；第一器件隔离层，在第一区域中，第一器件隔离层覆盖第一鳍型有源区的两个下部侧壁；第一栅线，在第一器件隔离层上，第一栅线覆盖第一沟道区域；第一源极/漏极区，在第一凹陷中；第二鳍型有源区，在基板的第二区域中，第二鳍型有源区从基板突出并具有第二凹陷和第二沟道区域，基板的第二区域与基板的第一区域间隔开；第二器件隔离层，在第二区域中，第二器件隔离层覆盖第二鳍型有源区的两个下部侧壁；第二栅线，在第二器件隔离层上，第二栅线覆盖第二沟道区域；第二源极/漏极区，在第二凹陷中；第一鳍绝缘间隔物，覆盖第一鳍型有源区的在第一器件隔离层和第一源极/漏极区之间的侧壁，并具有第一高度；以及第二鳍绝缘间隔物，覆盖第二鳍型有源区的在第二器件隔离层和第二源极/漏极区之间的侧壁，并具有小于第一高度的第二高度。