[发明专利]集成电路器件及其制造方法

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

基板，具有第一区域和第二区域；

第一鳍型有源区，在所述第一区域中，所述第一鳍型有源区包括第一鳍部分，所述第一鳍部分具有第一凹陷，所述第一凹陷填充有第一源极/漏极区；

第一器件隔离层，覆盖所述第一鳍型有源区的两个下部侧壁；

第二鳍型有源区，在所述第二区域中，所述第二鳍型有源区包括第二鳍部分，所述第二鳍部分具有第二凹陷，所述第二凹陷填充有第二源极/漏极区；

第二器件隔离层，覆盖所述第二鳍型有源区的两个下部侧壁；以及

鳍绝缘间隔物，覆盖所述第一鳍型有源区的第一侧壁和所述第二鳍型有源区的第二侧壁中的至少一个，所述第一鳍型有源区的所述第一侧壁在所述第一器件隔离层和所述第一凹陷之间，并且所述第二鳍型有源区的所述第二侧壁在所述第二器件隔离层和所述第二凹陷之间。

2.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述鳍绝缘间隔物仅在所述第一区域和所述第二区域当中的所述第一区域中，并覆盖所述第一鳍型有源区的在所述第一器件隔离层和所述第一源极/漏极区之间的两个侧壁。

3.如权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

栅极间电介质，覆盖所述第一源极/漏极区和所述第二源极/漏极区，

其中所述第一侧壁与所述栅极间电介质间隔开，使所述鳍绝缘间隔物在所述第一侧壁和所述栅极间电介质之间，并且

所述第二侧壁与所述栅极间电介质间隔开，使所述第二源极/漏极区的一部分在所述第二侧壁和所述栅极间电介质之间。

4.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述鳍绝缘间隔物包括：

第一鳍绝缘间隔物，覆盖所述第一器件隔离层和所述第一源极/漏极区之间的所述第一侧壁；和

第二鳍绝缘间隔物，覆盖所述第二器件隔离层和所述第二源极/漏极区之间的所述第二侧壁，

其中所述第一鳍绝缘间隔物的高度大于所述第二鳍绝缘间隔物的高度。

5.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一凹陷的深度小于所述第二凹陷的深度。

6.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一鳍型有源区的在所述第一凹陷下面从所述第一器件隔离层向上突出且在所述第一器件隔离层之外的部分的垂直长度大于所述第二鳍型有源区的在所述第二凹陷下面从所述第二器件隔离层向上突出且在所述第二器件隔离层之外的部分的垂直长度。

7.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一源极/漏极区的尺寸小于所述第二源极/漏极区的尺寸。

8.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一区域是SRAM区域，所述第二区域是逻辑区域。

9.如权利要求1所述的集成电路器件，其中所述第一区域是NMOS晶体管区域，所述第二区域是PMOS晶体管区域。

10.如权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

第一栅线，在所述第一器件隔离层上以及在所述第一鳍型有源区上，所述第一栅线在与所述第一鳍型有源区交叉的方向上延伸；

第一栅极绝缘间隔物，在所述第一器件隔离层上以及在所述第一鳍型有源区上，所述第一栅极绝缘间隔物覆盖所述第一栅线的两个侧壁；

第二栅线，在所述第二器件隔离层上以及在所述第二鳍型有源区上，所述第二栅线在与所述第二鳍型有源区交叉的方向上延伸；以及

第二栅极绝缘间隔物，在所述第二器件隔离层上以及在所述第二鳍型有源区上，所述第二栅极绝缘间隔物覆盖所述第二栅线的两个侧壁，

其中所述鳍绝缘间隔物、所述第一栅极绝缘间隔物和所述第二栅极绝缘间隔物包括相同的材料。

11.如权利要求10所述的集成电路器件，其中所述鳍绝缘间隔物仅在所述第一区域和所述第二区域当中的所述第一区域中，并一体地连接到所述第一栅极绝缘间隔物。