[发明专利]探测器及其封装方法

说明书

技术领域

本申请属于半导体器件封装领域，特别是涉及一种探测器及其封装方法。

背景技术

近年来，随着红外成像技术的发展，铟镓砷红外焦平面作为短波红外的关键成像器件，其发展一直被人们重视。然而，传统的短波红外金属封装，是将玻璃盖板先和管壳顶板焊接在一起，然后再将管壳顶板和管壳壳体使用平行缝焊的方法焊接到一起。这种方法需要使用两步焊接，并且需要使用平行缝焊设备，成本较高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种探测器及其封装方法，以克服现有技术中的不足。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本申请实施例公开一种探测器，包括具有开口的管壳、设于所述管壳内的探测器芯片、以及遮盖于所述开口的光窗盖板，所述光窗盖板与所述管壳的接触面之间通过回熔焊料连接。

优选的，在上述的探测器中，所述管壳由一底板和四面围板构成，该底板和围板围成放置所述探测器芯片的腔体。

优选的，在上述的探测器中，所述光窗盖板的边缘凸伸出所述管壳的开口四周。

优选的，在上述的探测器中，所述光窗盖板为玻璃或者石英盖板。

优选的，在上述的探测器中，所述管壳采用金属材质。

优选的，在上述的探测器中，所述焊料选自铟、锡、银、金或其合金。

优选的，在上述的探测器中，该探测器为近红外/短波红外探测器。

优选的，在上述的探测器中，所述探测器芯片选自铟镓砷芯片、锑化铟芯片、碲镉汞芯片、铟砷锑芯片、铟砷/镓锑芯片、或镓砷/铝镓砷芯片。

相应的，本申请还公开了一种探测器的封装方法，包括：

(1)、在光窗盖板或管壳开口边缘沉积焊料；

(2)、使用真空回熔或者充保护气体回熔的方法将光窗盖板或管壳焊接在一起。

与现有技术相比，本发明的优点在于：本发明使用这种石英或者玻璃直接封帽的方法，可以比现有使用平行缝焊等的封装方式省一步工艺，更为节省成本。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请中记载的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1所示为本发明具体实施例中探测器封装的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行详细的描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

本实施例公开了一种探测器，包括具有开口的管壳1、设于管壳1内的探测器芯片、以及遮盖于开口的光窗盖板2，光窗盖板2与管壳1的接触面之间通过回熔焊料3连接。

进一步地，管壳1由一底板和四面围板构成，该底板和围板围成放置探测器芯片的腔体。

进一步地，光窗盖板2的边缘凸伸出管壳1的开口四周。

在优选的实施例中，光窗盖板2为玻璃或者石英盖板。

在优选的实施例中，管壳1采用金属材质，可以镀镍，金等表面涂层。。

在优选的实施例中，焊料3选自铟、锡、银、金或其合金。

在优选的实施例中，该探测器为近红外/短波红外探测器。探测器芯片选自铟镓砷芯片、锑化铟芯片、碲镉汞芯片、铟砷锑芯片、铟砷/镓锑芯片、或镓砷/铝镓砷芯片。更优选的，探测器芯片为铟镓砷芯片。

结合图1所示，探测器的封装方法包括：

s1、准备玻璃或者石英盖板

s2、沉积焊料，焊料可以是铟，锡，银，金等金属或者它们的合金。

s3、准备探测器器件，管壳；管壳安放探测器可以是单元系列、面阵系列等器件，使用真空回熔或者充保护气体回熔的方法将玻璃或者石英盖板和管壳壳体焊接在一起，管壳壳体可以是可伐，不锈钢等常见的金属壳体，可以镀镍，金等表面涂层。

最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。