[发明专利]探测器及其封装方法在审
| 申请号: | 201710457782.5 | 申请日: | 2017-06-16 |
| 公开(公告)号: | CN107104155A | 公开(公告)日: | 2017-08-29 |
| 发明(设计)人: | 黄寓洋 | 申请(专利权)人: | 苏州苏纳光电有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/0203 | 分类号: | H01L31/0203;H01L31/09;H01L31/18 |
| 代理公司: | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)32256 | 代理人: | 王锋 |
| 地址: | 215000 江苏省苏州市苏州工业*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 探测器 及其 封装 方法 | ||
1.一种探测器,其特征在于,包括具有开口的管壳、设于所述管壳内的探测器芯片、以及遮盖于所述开口的光窗盖板,所述光窗盖板与所述管壳的接触面之间通过回熔焊料连接。
2.根据权利要求1所述的探测器,其特征在于:所述管壳由一底板和四面围板构成,该底板和围板围成放置所述探测器芯片的腔体。
3.根据权利要求2所述的探测器,其特征在于:所述光窗盖板的边缘凸伸出所述管壳的开口四周。
4.根据权利要求1所述的探测器,其特征在于:所述光窗盖板为玻璃或者石英盖板。
5.根据权利要求1所述的探测器,其特征在于:所述管壳采用金属材质。
6.根据权利要求1所述的探测器,其特征在于:所述焊料选自铟、锡、银、金或其合金。
7.根据权利要求1所述的探测器,其特征在于:该探测器为近红外/短波红外探测器。
8.根据权利要求1所述的探测器,其特征在于:所述探测器芯片选自铟镓砷芯片、锑化铟芯片、碲镉汞芯片、铟砷锑芯片、铟砷/镓锑芯片、或镓砷/铝镓砷芯片。
9.权利要求1至8任一所述的探测器的封装方法,其特征在于,包括:
(1)、在光窗盖板或管壳开口边缘沉积焊料;
(2)、使用真空回熔或者充保护气体回熔的方法将光窗盖板或管壳焊接在一起。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州苏纳光电有限公司,未经苏州苏纳光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710457782.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





