[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

本发明公开一种阵列基板及其制作方法、显示装置，涉及显示技术领域，用于提高阵列基板的使用稳定性。所述阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板的薄膜晶体管；所述薄膜晶体管与所述衬底基板之间设置遮光层，所述遮光层包括层叠形成在所述衬底基板上的遮光金属层和光反射调节层，所述光反射调节层覆盖所述遮光金属层，且所述光反射调节层的反射率低于所述遮光金属层的反射率。本发明提供的阵列基板及其制作方法、显示装置用于采用顶栅结构薄膜晶体管的阵列基板。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管(Thin Film Transistor，简称为TFT)作为开关器件在显示技术领域发挥着重要的作用。常见的薄膜晶体管包括有栅极、源极、漏极以及有源层等，而按照栅极与有源层之间的相对位置关系，可将薄膜晶体管划分为顶栅结构的薄膜晶体管和底栅结构的薄膜晶体管。

目前，在阵列基板中设置顶栅结构的薄膜晶体管时，薄膜晶体管的有源层位于其栅极和阵列基板的衬底基板之间，且有源层与衬底基板之间通常设有遮光层，以利用遮光层遮挡从衬底基板一侧入射至有源层的光线，避免有源层被从衬底基板一侧入射的光线照射，而影响有源层的导电性能。

然而，由于现有的遮光层一般采用金属材料制作形成，比如钼(Mo)金属等，使得遮光层具有较高的反光率。因此，如果有外界光线，或者有其他功能膜层的反射光线，照射至遮光层面向有源层的表面，则遮光层很容易将该照射光线反射至有源层的导电沟道中，使得有源层的导电沟道产生漏电流，造成薄膜晶体管阈值电压的偏移，从而导致薄膜晶体管所在的阵列基板无法稳定使用。

发明内容

本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，用于提高阵列基板的使用稳定性。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

本发明的第一方面提供一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在衬底基板的薄膜晶体管；其中，薄膜晶体管与衬底基板之间设置遮光层，遮光层包括层叠形成在衬底基板上的遮光金属层和光反射调节层，光反射调节层覆盖遮光金属层，且光反射调节层的反射率低于遮光金属层的反射率。

与现有技术相比，本发明提供的阵列基板具有如下有益效果：

在本发明提供的阵列基板中，遮光层位于衬底基板与薄膜晶体管之间，遮光层的光反射调节层覆盖遮光金属层，这样当外界光线，或者其他功能膜层的反射光线，照射至遮光层面向薄膜晶体管的表面时，这些光线将照射在光反射调节层面向薄膜晶体管的表面，而由于光反射调节层的反射率低于遮光金属层的反射率，使得光线照射至光反射调节层后被反射的光强，小于光线照射至遮光金属层后被反射的光强，因此，利用光反射调节层和遮光金属层共同构成的遮光层，可以适度减弱光线照射至遮光层后被反射至薄膜晶体管中的光强，从而减弱遮光层反射光线对薄膜晶体管中有源层的导电沟道的光照影响，避免有源层的导电沟道被遮光层的反射光线照射而产生漏电流，造成薄膜晶体管的阈值电压偏移，进而影响薄膜晶体管所在的阵列基板的稳定使用。因此，本发明提供的阵列基板能够提高其使用稳定性。

基于上述阵列基板，本发明的第二方面提供一种阵列基板的制作方法，所述阵列基板的制作方法包括：

提供一衬底基板，在衬底基板上形成遮光金属层；

在遮光金属层上形成光反射调节层，使得光反射调节层覆盖遮光金属层，且光反射调节层的反射率低于遮光金属层的反射率，光反射调节层和遮光金属层共同构成遮光层；

在光反射调节层上形成薄膜晶体管，得到阵列基板。

与现有技术相比，本发明提供的阵列基板的制作方法所能实现的有益效果，与上述技术方案提供的阵列基板所能达到的有益效果相同，在此不做赘述。