[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效

申请号：	201710457121.2	申请日：	2017-06-16
公开（公告）号：	CN107093611B	公开（公告）日：	2020-07-03
发明（设计）人：	张斌;詹裕程;周婷婷;何晓龙	申请（专利权）人：	京东方科技集团股份有限公司
主分类号：	H01L27/12	分类号：	H01L27/12;H01L23/552;H01L21/77
代理公司：	北京中博世达专利商标代理有限公司 11274	代理人：	申健
地址：	100015 ***	国省代码：	北京;11
权利要求书：	查看更多	说明书：	查看更多
摘要：
搜索关键词：	一种阵列及其制作方法显示装置
钻瓜网技术展会专利词库专利权人专利榜在售专利公布日期热门专利

【权利要求书】：

1.一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板的薄膜晶体管；其特征在于，所述薄膜晶体管与所述衬底基板之间设置遮光层，所述遮光层包括层叠形成在所述衬底基板上的遮光金属层和光反射调节层，所述光反射调节层覆盖所述遮光金属层，所述光反射调节层位于所述遮光金属层与所述薄膜晶体管的有源层之间，且所述光反射调节层的反射率低于所述遮光金属层的反射率。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述光反射调节层为非晶硅膜层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅结构的薄膜晶体管。

4.根据权利要求1-3任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管中有源层形成在所述光反射调节层背离所述衬底基板的一侧；所述遮光金属层在所述衬底基板的正投影，覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管中栅极形成在所述有源层背离所述衬底基板的一侧，且所述栅极在所述衬底基板的正投影，覆盖所述有源层在所述衬底基板的正投影。

6.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，用于制作如权利要求1-5任一项所述的阵列基板，所述制作方法包括：

提供一衬底基板，在所述衬底基板上形成遮光金属层；

在所述遮光金属层上形成光反射调节层，使得所述光反射调节层覆盖所述遮光金属层，且所述光反射调节层的反射率低于所述遮光金属层的反射率，所述光反射调节层和所述遮光金属层共同构成遮光层；

在所述光反射调节层上形成薄膜晶体管，得到阵列基板。

7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述遮光金属层和所述光反射调节层采用一次构图工艺形成。

8.根据权利要求7所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述遮光金属层和所述光反射调节层采用一次构图工艺形成，包括：

在所述衬底基板上沉积所述遮光金属层，在所述遮光金属层上沉积所述光反射调节层，采用一次光罩工艺将所述遮光金属层和所述光反射调节层图案化。

9.根据权利要求6-8任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述光反射调节层采用非晶硅材料形成。