[发明专利]加热装置、半导体制造装置在审
| 申请号： | 201710456969.3 | 申请日： | 2017-06-16 |
| 公开（公告）号： | CN108022856A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 足立昌和 | 申请（专利权）人： | 日新离子机器株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 | 代理人： | 李雪春;王维玉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 加热 装置 半导体 制造 | ||
【权利要求书】：
1.一种加热装置，其特征在于包括：
移送机构，具有支承基板的支承部，在加热位置和非加热位置之间移送基板；
加热器，在所述加热位置对所述基板的一个面进行加热；以及
热反射板，和所述基板的另一个面相对，设置在所述移送机构上，
所述热反射板覆盖所述另一个面。
2.根据权利要求1所述的加热装置，其特征在于，还具备第二移送机构，所述第二移送机构在所述加热位置上，将所述基板从所述支承部移送到所述加热器，并使所述基板位于比所述支承部更靠所述热反射板侧。
3.根据权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于，所述热反射板呈朝向所述基板侧凹入的形状。
4.根据权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于，所述热反射板上形成有开口。
5.根据权利要求1或2所述的加热装置，其特征在于，所述加热器具备将所述基板固定支承在所述加热器上的机械式、静电式或者真空式的固定支承装置。
6.根据权利要求3所述的加热装置，其特征在于，所述加热器具备将所述基板固定支承在所述加热器上的机械式、静电式或者真空式的固定支承装置。
7.一种半导体制造装置，其特征在于，
具备如权利要求5所述的加热装置，
对固定支承在所述加热器的所述基板实施半导体制造处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于日新离子机器株式会社，未经日新离子机器株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710456969.3/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：仓储系统、控制方法、服务器及计算机可读介质
- 下一篇：加密装置及加密方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
