[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

形成衬底，所述衬底上具有多个分立的鳍部，所述多个鳍部呈阵列排布；

在所述鳍部之间形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部的顶部表面，位于延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第一隔离层，位于垂直鳍部延伸方向相邻鳍部之间的隔离层为第二隔离层；

在所述鳍部之间形成牺牲层，所述牺牲层表面与所述鳍部表面齐平，位于所述第一隔离层上的牺牲层为第一牺牲层，位于所述第二隔离层上的牺牲层为第二牺牲层；

去除部分所述第一牺牲层露出所述隔离层，形成凹槽；

在所述凹槽内形成介质层，所述介质层与位于所述介质层下方的第一隔离层构成第一隔离结构；

去除剩余所述牺牲层；

所述第二隔离层用于构成第二隔离结构。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述牺牲层的材料是非晶硅或氮化硅或者单晶硅。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述第一牺牲层的厚度在500埃～3000埃的范围内。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，去除部分所述第一牺牲层露出所述隔离层，形成凹槽的步骤包括：采用干法刻蚀去除所述第一牺牲层。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述介质层的材料是氧化硅。

6.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述凹槽内形成所述介质层采用的工艺方法为流体化学气相沉积，工艺参数如下：温度在30℃～90℃的范围内，气体成分包括：N(SiH₃)₃，NH₃，O₂，气压在0.01Torr～10Torr的范围内，体积流量在20sccm～10000sccm的范围内。

7.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在形成所述隔离层之后，在形成所述牺牲层之前，所述形成方法还包括：在所述鳍部侧壁、所述第一隔离层及所述第二隔离层上形成阻挡层。

8.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的材料包括氧化硅或氮化硅。

9.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，所述阻挡层的厚度在15埃～50埃的范围内。

10.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，形成阻挡层的步骤中，采用的工艺方法为原子层沉积法，工艺条件包括：有机硅前驱体，温度在80℃～300℃的范围内，压强在5mTorr～20Torr的范围内。

11.如权利要求7所述的形成方法，其特征在于，在去除剩余所述牺牲层至后，在形成所述第二隔离结构之前，所述形成方法还包括：去除所述第二隔离层上的阻挡层。

12.如权利要11所述的形成方法，其特征在于，去除所述第二隔离层上的阻挡层的步骤还减薄所述介质层与所述第二隔离层，减薄后的介质层、所述介质层下方的阻挡层及所述第一隔离层用于构成第一隔离结构；减薄后的第二隔离层用于构成第二隔离结构。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成衬底的步骤包括：提供初始衬底，在所述初始衬底表面形成第一硬掩膜层；以所述第一硬掩膜为掩膜刻蚀所述初始衬底形成鳍部；所述牺牲层的形成方法包括：形成牺牲材料层，所述牺牲材料层覆盖所述隔离层及所述鳍部及所述第一硬掩膜层的侧壁，且高度高于所述第一硬掩膜的顶部表面；对所述牺牲材料层进行平坦化处理至露出所述第一硬掩膜顶部表面，形成牺牲层。