[发明专利]半导体器件及制造该半导体器件的方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

设置在衬底上的焊盘；以及

设置在所述焊盘上并电连接到所述焊盘的凸块结构，

其中所述凸块结构包括：

顺序地堆叠在所述焊盘上的第一铜层和第二铜层；以及

在所述第二铜层上的焊料球，

其中所述第一铜层的(111)面与(200)面的第一X射线衍射峰值强度比大于所述第二铜层的(111)面与(200)面的第二X射线衍射峰值强度比。

2.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一铜层的所述第一XRD峰值强度比比所述第二铜层的所述第二XRD峰值强度比的两倍更大。

3.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一铜层中的孪晶界密度大于所述第二铜层中的孪晶界密度。

4.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一铜层的厚度比所述第二铜层的厚度的0.2倍小。

5.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述第一铜层具有从0.5μm到3μm的范围内的厚度。

6.如权利要求1所述的半导体器件，

其中，当使用包含过氧化氢和磷酸的蚀刻溶液或包含过氧化氢和柠檬酸的蚀刻溶液时，所述第一铜层的铜蚀刻速率比所述第二铜层的铜蚀刻速率的一半低。

7.如权利要求1所述的半导体器件，还包括：

形成在所述第一铜层的侧壁上的底切区，

其中所述底切区的深度在从0.2μm到0.6μm的范围内。

8.如权利要求7所述的半导体器件，

其中所述第一铜层的厚度大于所述底切区的所述深度。

9.如权利要求7所述的半导体器件，还包括：

在所述焊盘与所述第一铜层之间的凸块下图案，

其中所述第一铜层的处于与所述底切区相同水平处的部分具有比所述凸块下图案的宽度小的宽度。

10.如权利要求9所述的半导体器件，

其中所述凸块下图案包括：

顺序地堆叠的阻挡图案和籽晶图案，以及

其中所述籽晶图案的宽度小于所述阻挡图案的宽度。

11.如权利要求1所述的半导体器件，

其中所述凸块结构还包括：

插置在所述第二铜层与所述焊料球之间的镍层，以及

其中所述镍层的宽度大于所述第一铜层的宽度和所述第二铜层的宽度。

12.如权利要求11所述的半导体器件，

其中所述凸块结构还包括：

插置在所述镍层与所述焊料球之间的第三铜层，以及

其中所述第一铜层的(111)面与(200)面的所述第一XRD峰值强度比大于所述第三铜层的(111)面与(200)面的第三XRD峰值强度比。

13.一种半导体器件，包括：

设置在衬底上的焊盘；以及

设置在所述焊盘上并电连接到所述焊盘的凸块结构，

其中所述凸块结构包括：

顺序地堆叠在所述焊盘上的第一铜层和第二铜层；以及

在所述第二铜层上的焊料球，以及

其中所述第一铜层中的孪晶界密度大于所述第二铜层中的孪晶界密度。

14.如权利要求13所述的半导体器件，

其中所述第一铜层的厚度比所述第二铜层的厚度的0.2倍小。

15.如权利要求13所述的半导体器件，

其中所述第一铜层的厚度在从0.5μm到3μm的范围内。