[发明专利]一种放大电路有效
申请号: | 201710446391.3 | 申请日: | 2017-06-14 |
公开(公告)号: | CN108270403B | 公开(公告)日: | 2023-05-02 |
发明(设计)人: | 陈智圣;叶家荣 | 申请(专利权)人: | 立积电子股份有限公司 |
主分类号: | H03F1/32 | 分类号: | H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/45 |
代理公司: | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人: | 刘民选 |
地址: | 中国台湾台北市内湖区*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 放大 电路 | ||
本发明提供一种放大电路,用以于一不同操作模式下进行信号调变,其包括第一放大器电路与第二级放大器。第二级放大器串接于第一放大器电路,以形成串级放大器电路。第一放大器电路包括第一级放大器与旁路电路。旁路电路包括第一晶体管。第一晶体管的第一端耦接于第一级放大器的输入端,第一晶体管的第二端耦接于第一级放大器的输出端,且第一晶体管的第三端耦接于电源电压。第一晶体管的第一端更耦接于第一控制端,以由第一控制端接收第一控制电压来控制第一晶体管的工作偏压,借此切换放大电路的操作模式。
技术领域
本发明是关于一种放大电路,特别是指一种用以于不同操作模式下进行信号调变的放大电路。
背景技术
功率放大器为射频发射电路中一个重要的组件,其主要的功能在于将信号放大推出,因此功率放大器通常都会被设置在天线放射器的前端;同时,功率放大器也是整个射频前端电路中最耗功耗的组件。目前智能型电子装置(如:智能型手机、平板计算机等)所使用的功率放大器是以砷化镓功率放大器(GaAs PA)为主流。原因在于,砷化镓具有高频、高绝缘性、低耗电与低的谐波与噪音接收的特性,能满足传输量更高的4G信号应用,甚至是未来更高端的5G信号应用。
发明内容
本发明提供一种放大电路,用以于不同操作模式下进行信号调变。此种放大电路包括第一放大器电路与第二级放大器。第二级放大器串接于第一放大器电路,以形成串级放大器电路。第一放大器电路包括第一级放大器与旁路电路。第一级放大器具有一输入端与一输出端。旁路电路包括第一晶体管。第一晶体管的第一端耦接于第一级放大器的输入端,第一晶体管的第二端耦接于第一级放大器的输出端,且第一晶体管的第三端耦接于电源电压。第一晶体管的第一端更耦接于第一控制端,以由第一控制端接收第一控制电压来控制第一晶体管的工作偏压,借此切换放大电路的操作模式。
本发明更提供一种放大电路,包括放大器与旁路电路。放大器具有一输入端与一输出端。旁路电路包括第一晶体管。第一晶体管的第一端耦接于放大器的输入端,第一晶体管的第二端耦接于放大器的输出端,且第一晶体管的第三端耦接于电源电压。第一晶体管的第一端更耦接于一控制端,以由此控制端接收控制电压来控制第一晶体管的工作偏压。
与现有技术相比,本发明所提供的放大电路具有如下优势:能依据电子装置运作上的需求选择性地操作于线性模式或非线性模式;工作在非线性模式下,不会受到厄利效应的影响;旁路电路在高功率下工作时也能具有良好的线性度,且整个放大电路适合以砷化镓(GaAs)作为主要组件的材料。
为使能更进一步了解本发明的特征及技术内容,请参阅以下有关本发明的详细说明与附图,但是此等说明与所附图式仅是用来说明本发明,而非对本发明的权利要求书作任何的限制。
附图说明
关于本发明的优点与精神可以通过以下的发明详述及所附图式得到进一步的了解。
图1为本发明所提供的实施例中一种放大电路的示意图;
图2为本发明所提供的实施例中一种放大电路的电路图;
图3A为本发明所提供的实施例中一种放大电路中旁路电路的电路图;
图3B为本发明所提供的另一实施例中一种放大电路中旁路电路的电路图;
图4为本发明所提供的又一实施例中一种放大电路中旁路电路的电路图;
图5为本发明所提供的另一实施例中一种放大电路的电路图。
IN:输入端
OUT:输出端
10:第一放大器电路
110:第一级放大器
110’:放大器
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