[发明专利]一种放大电路有效

专利信息
申请号: 201710446391.3 申请日: 2017-06-14
公开(公告)号: CN108270403B 公开(公告)日: 2023-05-02
发明(设计)人: 陈智圣;叶家荣 申请(专利权)人: 立积电子股份有限公司
主分类号: H03F1/32 分类号: H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21;H03F3/45
代理公司: 上海市锦天城律师事务所 31273 代理人: 刘民选
地址: 中国台湾台北市内湖区*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 一种 放大 电路
【权利要求书】:

1.一种放大电路,用以于一不同操作模式下进行信号调变,其特征在于:所述放大电路包括:

一第一放大器电路,包括:

一第一级放大器,该第一级放大器具有一输入端与一输出端;以及

一旁路电路,该旁路电路包括一第一晶体管,其中该第一晶体管的第一端是该第一晶体管的基极或栅极,该第一晶体管的第一端耦接于该第一级放大器的该输入端,该第一晶体管的第二端耦接于该第一级放大器的该输出端,该第一晶体管的第三端耦接于一电源电压;以及

一第二级放大器,串接于该第一放大器电路,以形成一串级放大器电路;

其中,该第一晶体管的第一端还耦接于一第一控制端,以由该第一控制端接收一第一控制电压来控制该第一晶体管的一工作偏压,以切换该放大电路的该不同操作模式。

2.如权利要求1所述的放大电路,其特征在于:其中所述放大电路还包括一第三级放大器,该第三级放大器串接于该第二级放大器,以形成该串级放大器电路,其中该放大电路为一功率放大电路,该第一级放大器为一第一级驱动放大器,该第二级放大器为一第二级驱动放大器,且该第三级放大器为一第三级功率放大器。

3.如权利要求1所述的放大电路,其特征在于:其中该旁路电路还包括一偏压电路,该偏压电路至少包括一第一偏压电阻,该第一偏压电阻的一端耦接于该第一晶体管的第一端,且该第一偏压电阻的另一端耦接于该第一控制端。

4.如权利要求1所述的放大电路,其特征在于:其中该第一晶体管为双极性接面晶体管,于该第一控制电压的控制下,当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的截止区,该第一晶体管截止,使得该放大电路操作于一非线性模式;或该第一晶体管为金氧半场效晶体管,于该第一控制电压的控制下,当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的截止区,该第一晶体管截止,使得该放大电路操作于一非线性模式。

5.如权利要求1所述的放大电路,其特征在于:其中该第一晶体管为双极性接面晶体管,于该第一控制电压的控制下,当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的激活区,该第一晶体管导通,使得该放大电路操作于一线性区模式;或该第一晶体管为金氧半场效晶体管,于该第一控制电压的控制下,当该第一晶体管的该工作偏压落于该第一晶体管的饱和区,该第一晶体管导通,使得该放大电路操作于一线性区模式。

6.如权利要求3所述的放大电路,其特征在于:其中该旁路电路还包括一第二偏压电阻,该第二偏压电阻的一端耦接于该第一晶体管的第二端,且该第二偏压电阻的另一端耦接一参考电位。

7.如权利要求3所述的放大电路,其特征在于:其中该旁路电路还包括一第二晶体管、一第三晶体管、一第一电阻、一第一电容与一第二电容;

其中,该第一电容耦接于该第一晶体管的第一端与该第一级放大器的该输入端之间,该第二电容耦接于该第一晶体管的第二端与该第一级放大器的该输出端之间,该第二晶体管与该第三晶体管的第一端相耦接,该第二晶体管的第三端通过该第一电阻耦接于该第一偏压电阻与该第一控制端之间,该第三晶体管的第三端耦接于该第一晶体管的第二端与该第二电容之间,该第二晶体管的第一端与第三端相耦接,且该第二晶体管与该第三晶体管的第二端均耦接一参考电位。

8.如权利要求7所述的放大电路,其特征在于:其中该旁路电路还包括一第四晶体管,该第四晶体管的第一端与第三端相耦接并通过该第一电阻耦接于该第一偏压电阻与该第一控制端之间,且该第四晶体管的第二端耦接于该第二晶体管的第一端与第三端。

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