[发明专利]MicroLED彩色显示器件

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种Micro LED彩色显示器件。

背景技术

随着可穿戴显示设备的快速发展，出现了微发光二极管(Micro LED，uLED)技术。Micro LED技术即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列。Micro LED的耗电量远小于液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)，与有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)一样属于自发光，能够将像素之间的距离从毫米等级降至微米等级，色彩饱和度接近OLED，所以很多厂商把Micro LED视为下一代的显示技术。

现有技术通过微转印(Micro Transfer Print)法来制作Micro LED阵列：将LED裸芯片(Bare Chip)通过激光剥离(Laser Lift-off，LLO)技术从蓝宝石衬底上分离开后，使用一个图案化的转移基板(Transfer Layer)将LED裸芯片从供给基板吸附起来，转移到接收基板。具体地，这个接收基板是已经预先制备完成电路图案的硅基板，通过将转移基板与接收基板进行对位，转移基板上所吸附的LED裸芯片被贴附到接收基板的匹配位置，再剥离转移基板，即可完成LED裸芯片的转移。诸如US2013/0210194，US2013/0128585等专利对微转印技术有较为细致地描述。

Micro LED彩色显示器件通过正常的CMOS集成电路制造工艺制作LED显示驱动电路，再在集成电路上制作LED阵列制得。在实际的LED的生产过程中有一个对LED分规格(业界称为分Bin)的过程，在不同的Bin中，峰值波长会发生移动，LED的色度、亮度等会存在一致性偏离的问题。制备以LED作为光源的Micro LED彩色显示器件，需要大规模生产红色、绿色、及蓝色的LED，在这个过程中由于不同晶圆(Wafer)生长出的LED很大概率处于不同的Bin中，所以LED的色度一致性偏离是一个必然现象。

请参阅图1，通过计算发现，对于相邻的3～4个Bin的LED，绿色LED的色度差异性最大：当峰值波长平移2nm，绿色LED的x色度差异G△x就超过了0.01，而一个Bin的峰值波长范围往往有2.5nm，这意味着对于Micro LED彩色显示器件来说，绿颜色的稳定性并不容易控制，绿颜色的色度均匀性有待改善。

发明内容

本发明的目的在于提供一种Micro LED彩色显示器件，其色度均匀性好，绿颜色的稳定性易于控制，显示质量得以提高。

为实现上述目的，本发明提供一种Micro LED彩色显示器件，包括驱动基板、与所述驱动基板相对设置的封装基板、设在所述驱动基板与封装基板之间呈阵列式排布的多个蓝色子像素、绿色子像素、与红色子像素、以及设在所述驱动基板与封装基板之间的支撑物；每一子像素内对应设置一个LED；

所述蓝色子像素包括设在所述驱动基板上的第一下像素电极、与所述第一下像素电极相对设置的第一上像素电极、及夹设在所述第一下像素电极与第一上像素电极之间的第一蓝色LED；所述绿色子像素包括设在所述驱动基板上的第二下像素电极、与所述第二下像素电极相对设置的第二上像素电极、夹设在所述第二下像素电极与第二上像素电极之间的第二蓝色LED、及设在所述第二上像素电极与封装基板之间的绿色色彩转换层；所述红色子像素包括设在所述驱动基板上的第三下像素电极、与所述第三下像素电极相对设置的第三上像素电极、及夹设在所述第三下像素电极与第三上像素电极之间的LED。

可选的，所述红色子像素中，所述夹设在所述第三下像素电极与第三上像素电极之间的LED为红色LED。

可选的，所述红色子像素中，所述夹设在所述第三下像素电极与第三上像素电极之间的LED为第三蓝色LED；所述红色子像素还包括设在所述第三上像素电极与封装基板之间的红色色彩转换层。

所述蓝色子像素还包括设在第一上像素电极与封装基板之间的第一透明间隔体；所述红色子像素还包括设在第三上像素电极与封装基板之间的第二透明间隔体。

所述蓝色子像素还包括设在第一上像素电极与封装基板之间的第一透明间隔体。

所述绿色色彩转换层的材料是绿色量子点。

所述红色色彩转换层的材料是红色量子点。

所述第一透明间隔体与第二透明间隔体的高度相同或不同，所述第一蓝色LED和第一透明间隔体的高度之和与红色LED和第二透明间隔体的高度之和一致。