[发明专利]MicroLED彩色显示器件在审
| 申请号: | 201710443800.4 | 申请日: | 2017-06-13 |
| 公开(公告)号: | CN107068707A | 公开(公告)日: | 2017-08-18 |
| 发明(设计)人: | 陈黎暄;李泳锐 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/50 |
| 代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所44265 | 代理人: | 林才桂 |
| 地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | microled 彩色显示器 | ||
1.一种Micro LED彩色显示器件,其特征在于,包括驱动基板(1)、与所述驱动基板(1)相对设置的封装基板(2)、设在所述驱动基板(1)与封装基板(2)之间呈阵列式排布的多个蓝色子像素(P1)、绿色子像素(P2)、与红色子像素(P3)、以及设在所述驱动基板(1)与封装基板(2)之间的支撑物(4);每一子像素内对应设置一个LED;
所述蓝色子像素(P1)包括设在所述驱动基板(1)上的第一下像素电极(E11)、与所述第一下像素电极(E11)相对设置的第一上像素电极(E12)、及夹设在所述第一下像素电极(E11)与第一上像素电极(E12)之间的第一蓝色LED(B1);所述绿色子像素(P2)包括设在所述驱动基板(1)上的第二下像素电极(E21)、与所述第二下像素电极(E21)相对设置的第二上像素电极(E22)、夹设在所述第二下像素电极(E21)与第二上像素电极(E22)之间的第二蓝色LED(B2)、及设在所述第二上像素电极(E22)与封装基板(2)之间的绿色色彩转换层(G);所述红色子像素(P3)包括设在所述驱动基板(1)上的第三下像素电极(E31)、与所述第三下像素电极(E31)相对设置的第三上像素电极(E32)、及夹设在所述第三下像素电极(E31)与第三上像素电极(E32)之间的LED。
2.如权利要求1所述的Micro LED彩色显示器件,其特征在于,所述红色子像素(P3)中,所述夹设在所述第三下像素电极(E31)与第三上像素电极(E32)之间的LED为红色LED(R)。
3.如权利要求1所述的Micro LED彩色显示器件,其特征在于,所述红色子像素(P3)中,所述夹设在所述第三下像素电极(E31)与第三上像素电极(E32)之间的LED为第三蓝色LED(B3);所述红色子像素(P3)还包括设在所述第三上像素电极(E32)与封装基板(2)之间的红色色彩转换层(R’)。
4.如权利要求2所述的Micro LED彩色显示器件,其特征在于,所述蓝色子像素(P1)还包括设在第一上像素电极(E12)与封装基板(2)之间的第一透明间隔体(S1);所述红色子像素(P3)还包括设在第三上像素电极(E32)与封装基板(2)之间的第二透明间隔体(S2)。
5.如权利要求3所述的Micro LED彩色显示器件,其特征在于,所述蓝色子像素(P1)还包括设在第一上像素电极(E12)与封装基板(2)之间的第一透明间隔体(S1)。
6.如权利要求1所述的Micro LED彩色显示器件,其特征在于,所述绿色色彩转换层(G)的材料是绿色量子点。
7.如权利要求3所述的Micro LED彩色显示器件,其特征在于,所述红色色彩转换层(R’)的材料是红色量子点。
8.如权利要求4所述的Micro LED彩色显示器件,其特征在于,所述第一透明间隔体(S1)与第二透明间隔体(S2)的高度相同或不同,所述第一蓝色LED(B1)和第一透明间隔体(S1)的高度之和与红色LED(R)和第二透明间隔体(S2)的高度之和一致。
9.如权利要求2所述的Micro LED彩色显示器件,其特征在于,所述第一上像素电极(E12)与第三上像素电极(E32)的高度相同或不同;所述第一下像素电极(E11)、第一蓝色LED(B1)、与第一上像素电极(E12)的高度之和等于驱动基板(1)与封装基板(2)之间的间距;所述第三下像素电极(E31)、红色LED(R)、与第三上像素电极(E32)的高度之和等于驱动基板(1)与封装基板(2)之间的间距。
10.如权利要求4或5所述的Micro LED彩色显示器件,其特征在于,所述封装基板(2)的材料为聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、或玻璃;
所述支撑物(4)的材料为有机光阻或硅球;
所述第一透明间隔体(S1)、第二透明间隔体(S2)的材料均为有机透明材料、或无机透明材料;
第一、第二、第三上像素电极(E12、E22、E32)、及第一、第二、第三下像素电极(E11、E21、E31)的材料均为氧化铟锡、或导电金属。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





