[发明专利]一种靶材余量测量装置

说明书

本发明涉及真空磁控镀膜技术领域，公开一种靶材余量测量装置，该靶材余量测量装置包括：主体结构，设有沿第一方向排列的多个测量轨道；每个测量轨道沿第二方向延伸，第二方向垂直于第一方向；多个顶针，与多个测量轨道一一对应；每个顶针沿第二方向延伸，且第一端限位于与其对应的测量轨道内；每个顶针可沿测量轨道自由移动、且可部分伸出测量轨道；多个滑块，与多个测量轨道一一对应；每个滑块可沿与其对应的测量轨道滑动地设置于测量轨道内、且限位于顶针的第一端一侧；每个滑块与测量轨道之间的静摩擦力大于其自身重力；主尺，设置于主体结构上，且设有沿第二方向排列的刻度线。上述靶材余量测量装置的测量步骤很简单，且测量结果比较精确。

技术领域

本发明涉及真空磁控镀膜技术领域，特别涉及一种靶材余量测量装置。

背景技术

在薄膜晶体管(TFT)及液晶显示器制造领域，经常采用物理气相沉积技术，该技术工艺一般是利用磁控溅射设备通过氩(Ar)原子轰击靶材使靶材粒子沉积在基板表面以达到沉积成膜的目的。立式磁控溅射设备是目前比较常用的一种磁控溅射设备；其靶材后方的磁铁可以一定程度上提高靶材的利用率，但是，由于其磁铁的移动会在靶材表面形成凹凸不平的刻蚀曲线，而当刻蚀最深处超过靶材厚度时，会导致靶材击穿而无法使用，因此确定残靶刻蚀剩余量、并根据残靶刻蚀剩余量来相应调整靶材使用周期，对于提高靶材的使用效率、提升产品的良率具有积极意义；上述残靶刻蚀剩余量是指使用过的靶材被消耗最多处剩余靶材的厚度。

如图1所示，传统的残靶刻蚀量测量工具是利用具有高摩擦系数的排针100模拟靶材刻蚀曲线；具体操作时，需以一定的作用力将排针100垂直于靶材表面压向靶材，当排针100从被测靶材上移开时，会保留模拟的靶材刻蚀曲线，再在坐标纸上沿排针100的走向画出被排针100模拟出的刻蚀曲线，最后利用坐标纸读出靶材最小剩余量。利用上述残靶刻蚀量测量工具进行测量，步骤繁琐，耗时长，并且，上述残靶刻蚀量测量工具在长时间使用后，其排针100摩擦系数会降低，进而经常会有排针100掉落，从而导致排针100数目过少，进而导致模拟的刻蚀曲线不够准确；另外，由于需要在坐标纸上用笔画出模拟刻蚀曲线进行读数，因此，笔尖本身的厚度、笔尖与坐标纸不能保证实时垂直以及画线过程中笔尖与排针100接触导致排针100移动等情况，均会导致较大的测量误差；综上，上述残靶刻蚀量测量工具的测量步骤繁琐，且测量结果误差较大，进而容易造成因把控刻蚀量不准确造成的靶材击穿或靶材浪费现象。

发明内容

本发明公开了一种靶材余量测量装置，用于解决残靶刻蚀量测量的步骤繁琐且误差较大的问题。

为达到上述目的，本发明提供以下技术方案：

一种靶材余量测量装置，包括：

主体结构，设有沿第一方向依次排列的多个测量轨道；每个测量轨道沿第二方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；

多个顶针，与所述多个测量轨道一一对应；每个顶针沿第二方向延伸，且第一端限位于与其对应的测量轨道内、且限位于与所述测量轨道相对应的顶针的第一端一侧；每个顶针可沿与其对应的测量轨道自由移动、且可部分伸出所述测量轨道；

多个滑块，与所述多个测量轨道一一对应；每个滑块可沿与其对应的测量轨道滑动地设置于所述测量轨道内；每个滑块与所述测量轨道之间的静摩擦力大于其自身重力；

一主尺，设置于所述主体结构上，且设有沿第二方向排列的刻度线。

上述靶材余量测量装置可以具有如下操作步骤：

首先，将该靶材余量测量装置垂直置于待测残靶上方，具体地，将顶针可伸出测量轨道的一端、即顶针的第二端(与第一端相对)朝向残靶表面设置；由于每个顶针可沿与其对应的测量轨道自由移动、且其第一端被限位于测量轨道内，进而此时，由于重力作用，每个顶针将部分伸出测量轨道外、且不会脱离测量轨道；随后，将每个测量轨道中的滑块调至与顶针的第一端接触；