[发明专利]一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器有效
申请号: | 201710441373.6 | 申请日: | 2017-06-13 |
公开(公告)号: | CN107256925B | 公开(公告)日: | 2020-03-10 |
发明(设计)人: | 徐海阳;王中强;朱佳雪;谢瑜;黎旭红;刘益春 | 申请(专利权)人: | 东北师范大学 |
主分类号: | H01L45/00 | 分类号: | H01L45/00;B82Y30/00;B82Y10/00 |
代理公司: | 长春市东师专利事务所 22202 | 代理人: | 张铁生;刘延军 |
地址: | 130021 吉*** | 国省代码: | 吉林;22 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 氧化 石墨 稳定性 存储器 | ||
1.一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器,包括底电极、顶电极以及位于两电极之间的阻变功能层,其特征在于:所述的阻变功能层为掺杂有TiO2纳米颗粒的氧化石墨烯乙醇溶液经磁力搅拌器上搅拌,旋涂在底电极表面,形成的薄膜,所述的薄膜再经过紫外光照射处理;
所述的掺杂有TiO2纳米颗粒的氧化石墨烯乙醇溶液,其中氧化石墨烯的含量为0.5mg/ml~2mg/ml;TiO2纳米颗粒与氧化石墨烯两者的质量比为1:30~1:5;
所述的紫外光照射处理为光照时间为2~15分钟;
所述的紫外光的光强度为2~8mW/cm2。
2. 根据权利要求1所述的一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器,其特征在于:所述的TiO2纳米颗粒的粒径为 10nm~20nm。
3.根据权利要求2所述的一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器,其特征在于:所述的搅拌时间为5~10小时;所述的阻变功能层其厚度为50nm~200nm。
4.根据权利要求1、2或3所述的一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器,其特征在于:所述的紫外光波长为320~400nm。
5.根据权利要求或4所述的一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器,其特征在于:所述的紫外光波长为387nm;所述的紫外光的光强度为5mW/cm2。
6.根据权利要求5所述的一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器,其特征在于:所述的底电极为氧化铟锡ITO或掺氟氧化锡FTO导电玻璃;所述的顶电极为惰性金属电极。
7.根据权利要求6所述的一种基于氧化石墨烯的高稳定性阻变存储器,其特征在于:所述的惰性金属电极为Al、Au或Pt。
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