[发明专利]半导体装置封装及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置封装，其包括：

衬底；

至少一个组件，其位于所述衬底的表面上；

封装本体，其包封所述至少一个组件；

电磁干扰EMI屏蔽，其适形地形成在所述封装本体上；及

导电柱，其贯穿所述封装本体以将所述电磁干扰EMI屏蔽电连接至所述衬底的接地电触点；

其中所述导电柱安置于所述半导体装置封装内电场最强的区域或其邻近处。

2.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述导电柱安置于所述组件的邻近处。

3.根据权利要求1所述的半导体装置封装，其中所述导电柱经安置以将所述半导体装置封装内的共振频率移至所述半导体装置封装的操作频率或其倍频外。

4.根据权利要求1所述的半导体装置封装，进一步包括复数个导电柱，其彼此分离并分别贯穿所述封装本体以将所述电磁干扰EMI屏蔽电连接至所述衬底的接地电触点。

5.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述导电柱的数量经选择以将所述半导体装置封装内的共振频率移至所述半导体装置封装的操作频率或其倍频外。

6.根据权利要求3所述的半导体装置封装，其中所述导电柱的数量为2-4个。

7.根据权利要求6所述的半导体装置封装，其中所述导电柱间的间距为八分之一个共振波长到二分之一个共振波长。

8.一种于半导体装置封装内形成导电柱的方法，其包括：

(a)测量或仿真所述半导体装置封装内的共振频率；

(b)测量或仿真所述半导体装置封装内电场的分布情况；及

(c)将所述导电柱形成于所述半导体装置封装内电场最强的区域或邻近电场最强的区域；

其中，所述半导体装置封装包括衬底、位于所述衬底的表面上的组件、包封所述组件及导电柱的封装本体及适形地形成在所述封装本体上的电磁干扰EMI屏蔽，其中所述导电柱将所述电磁干扰EMI屏蔽电连接至所述衬底的接地电触点。

9.根据权利要求8所述的方法，其中操作(c)进一步包含判定所述半导体装置封装内电场最强的区域是否已安置所述组件。

10.根据权利要求9所述的方法，其中若所述半导体装置封装内电场最强的区域未安置所述组件，则将所述导电柱形成于所述半导体装置封装内电场最强的区域。

11.根据权利要求9所述的方法，其中若所述半导体装置封装内电场最强的区域已安置所述组件，则将所述导电柱形成于邻近电场最强的区域。

12.根据权利要求8所述的方法，其中操作(a)进一步包括判定所述半导体装置封装内的共振频率是否位于所述半导体装置封装内的操作频率或倍频内。

13.根据权利要求8所述的方法，其中于操作(c)完成后，进一步包括判定所述半导体装置封装内的共振频率是否位于所述半导体装置封装内的操作频率或倍频内。

14.根据权利要求13所述的方法，其进一步包括若所述半导体装置封装内的共振频率位于所述半导体装置封装内的操作频率或倍频内，则重复操作(b)及(c)直至所述半导体装置封装内的共振频率移出所述半导体装置封装内的操作频率或倍频外。