[发明专利]太阳能电池镀膜方法及太阳能电池

说明书

本发明涉及太阳能电池生产技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池镀膜方法及太阳能电池。所述方法包括以下步骤：将放置有硅片的载板放置在传输装置上；关闭第一隔离机构，使预热腔室与氧化腔室断开，关闭第二隔离机构，使氧化腔室与镀膜腔室断开；对氧化腔室和镀膜腔室分别抽真空；将载板传送至预热腔室中，对预热腔室抽真空，对硅片进行预热；开启第一隔离机构，传输装置将载板传送至氧化腔室中，再次关闭第一隔离机构，形成氧化硅薄膜；开启第二隔离机构，将载板传送至镀膜腔室，再次关闭第二隔离机构，在镀膜腔室中沉积氮化硅薄膜、非晶硅薄膜和/或氧化铝薄膜。本发明能够在真空环境下连续完成全部的镀膜过程，降低了硅片的污染程度和破碎率。

技术领域

本发明涉及太阳能电池生产技术领域，尤其是涉及一种太阳能电池镀膜方法及太阳能电池。

背景技术

太阳能电池是一种将太阳的光能直接转化为电能的半导体器件。由于它是绿色环保产品，不会引起环境污染，而且利用的是可再生资源，所以在当今能源短缺的情形下，太阳能电池具有广阔的发展前景。

在太阳能电池片的生产过程中，氧化硅钝化层和非晶硅镀膜层的形成对于提升电池转化效率起着至关重要的作用。目前，传统的生产方法是分两步进行，首先在700-900℃管式火炉里通入氧气，在晶硅片表面慢慢生长出氧化硅钝化层，然后再将晶硅片从管式火炉转移到另一个化学气相沉积腔室中进行沉积氮化硅薄膜、非晶硅薄膜和/或氧化铝薄膜。在将晶硅片在两个设备之间转移的过程中，需要对晶硅片多次上料和下料，操作繁琐，不仅增加了晶硅片的污染程度和破碎率，同时也导致生产效率下降，制造成本升高。

发明内容

本发明的目的在于提供一种太阳能电池镀膜方法，以解决现有的太阳能电池镀膜方法在将晶硅片在两个设备之间转移的过程中，需要对晶硅片多次上料和下料，导致硅片的污染程度和破碎率高、生产效率低的技术问题。

本发明的目的还在于提供一种太阳能电池，以解决现有的太阳能电池在镀膜过程中因需要对硅片多次上料和下料而导致的硅片污染程度和破碎率高、生产效率低的技术问题

基于上述第一目的，本发明提供了一种太阳能电池镀膜方法，包括以下步骤：

将放置有硅片的载板放置在传输装置上；

关闭第一隔离机构，使预热腔室与氧化腔室断开，关闭第二隔离机构，使氧化腔室与镀膜腔室断开；对所述氧化腔室和所述镀膜腔室分别抽真空；其中，所述预热腔室的出口与所述氧化腔室的进口之间设置有第一封闭腔室，所述第一隔离机构设置在所述第一封闭腔室的内部；所述氧化腔室的出口与所述镀膜腔室的进口之间设置有第二封闭腔室，所述第二隔离机构设置在所述第二封闭腔室的内部；

所述传输装置将所述载板传送至预热腔室中，对所述预热腔室抽真空，所述预热腔室对所述硅片进行预热；

开启所述第一隔离机构，所述传输装置将所述载板传送至所述氧化腔室中，再次关闭所述第一隔离机构，所述硅片在所述氧化腔室中形成氧化硅薄膜；

开启所述第二隔离机构，所述传输装置将所述载板传送至所述镀膜腔室，再次关闭所述第二隔离机构，形成氧化硅薄膜的硅片在所述镀膜腔室中沉积氮化硅薄膜、非晶硅薄膜和氧化铝薄膜中的一种或几种。

可选的，所述预热腔室的出口与所述氧化腔室的进口之间设置有第一封闭腔室，所述第一隔离机构设置在所述第一封闭腔室的内部；

所述氧化腔室的出口与所述镀膜腔室的进口之间设置有第二封闭腔室，所述第二隔离机构设置在所述第二封闭腔室的内部。

可选的，所述氧化腔室的真空度为10～200Pa。

可选的，所述氧化腔室的温度为500～600℃。

可选的，所述氧化硅薄膜的厚度形成的速率为0.1～10nm/min。