[发明专利]太阳能电池镀膜方法及太阳能电池有效
| 申请号： | 201710435946.4 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107221579B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 上官泉元;庄正军;朱广东;侯岳明;杨玉杰 | 申请（专利权）人： | 常州比太科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 唐维虎 |
| 地址： | 213000 江苏省常州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 镀膜 方法 | ||
1.一种太阳能电池镀膜方法，其特征在于：包括以下步骤：
将放置有硅片的载板放置在传输装置上；
关闭第一隔离机构，使预热腔室与氧化腔室断开，关闭第二隔离机构，使氧化腔室与镀膜腔室断开；对所述氧化腔室和所述镀膜腔室分别抽真空；其中，所述预热腔室的出口与所述氧化腔室的进口之间设置有第一封闭腔室，所述第一隔离机构设置在所述第一封闭腔室的内部；所述氧化腔室的出口与所述镀膜腔室的进口之间设置有第二封闭腔室，所述第二隔离机构设置在所述第二封闭腔室的内部；
所述传输装置将所述载板传送至预热腔室中，对所述预热腔室抽真空，所述预热腔室对所述硅片进行预热；
开启所述第一隔离机构，所述传输装置将所述载板传送至所述氧化腔室中，再次关闭所述第一隔离机构，所述硅片在所述氧化腔室中形成氧化硅薄膜；
开启所述第二隔离机构，所述传输装置将所述载板传送至所述镀膜腔室，再次关闭所述第二隔离机构，形成氧化硅薄膜的硅片在所述镀膜腔室中沉积氮化硅薄膜、非晶硅薄膜和氧化铝薄膜中的一种或几种。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池镀膜方法，其特征在于：所述氧化腔室的真空度为10～200Pa。
3.根据权利要求1所述的太阳能电池镀膜方法，其特征在于：所述氧化腔室的温度为500～600℃。
4.根据权利要求1所述的太阳能电池镀膜方法，其特征在于：所述氧化硅薄膜的厚度形成的速率为0.1～10nm/min。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池镀膜方法，其特征在于：所述氧化硅薄膜的厚度形成的速率为0.5～0.7nm/min。
6.根据权利要求1所述的太阳能电池镀膜方法，其特征在于：所述镀膜腔室的真空度为10～500Pa。
7.根据权利要求1所述的太阳能电池镀膜方法，其特征在于：所述预热腔室的温度为400～500℃。
8.根据权利要求1所述的太阳能电池镀膜方法，其特征在于：所述氧化腔室的内部设置有等离子体发生器和第一加热装置，所述等离子体发生器位于所述氧化腔室的进口处，所述第一加热装置位于所述传输装置的上方，用于对所述硅片进行加热；所述氧化腔室的底板上设置有用于与真空泵连通的抽口，所述抽口靠近所述氧化腔室的出口处。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的太阳能电池镀膜方法，其特征在于：所述第一隔离机构和所述第二隔离机构均为真空闸阀。
10.一种太阳能电池，其特征在于：所述太阳能电池的氧化硅薄膜、氮化硅薄膜、非晶硅薄膜和/或氧化铝薄膜均采用如权利要求1至9中任一项所述的太阳能电池镀膜方法制作。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
