[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示面板，属于显示领域。所述阵列基板包括：多条栅线、多条数据线、及由所述栅线和所述数据线交叉围成的多个像素单元，所述多个像素单元呈阵列排布；每个所述像素单元包括：相互绝缘的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极位于所述像素单元的横轴两侧，以及与所述第一像素电极连接的第一薄膜晶体管，与所述第二像素电极连接的第二薄膜晶体管，横轴与栅线的延伸方向呈预设夹角；第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管能够分别为第一像素电极和第二像素电极加载不同极性的电压信号。本发明保证了液晶能够正常偏转，相对地提高了阵列基板的透过率。本发明用于显示图像。

技术领域

本发明涉及显示领域，特别涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。

背景技术

适用于边缘切换(英文：Fringe Field Switching；缩写：FFS)显示模式的阵列基板具有高穿透率、宽视角和可触控等优点，其被广泛应用在显示产品中。

针对显示面板在FFS显示模式中会出现大视角的色偏问题，人们提出了双畴的像素设计，其俯视示意图请参考图1，该像素电极01包括设置在像素电极01中轴线(图中虚线)两侧的两个部分(即双畴的像素设计，英文：1P2D)，且该两部分像素电极包括多个镂空区域，该两部分像素电极由同一个薄膜晶体管02(英文：Thin Film Transistor；缩写：TFT)供电。

但是，在该显示模式中，中轴线附近的液晶分子受到的两部分像素电极的偏转力方向相反且大小几乎相同，在两者的共同作用下，液晶分子会出现偏转异常甚至不偏转的情况，导致阵列基板在该位置处的透过率降低。

发明内容

为了解决相关技术中中轴线附近的液晶分子偏转异常甚至不偏转时，导致阵列基板在该位置处的透过率降低的问题，本发明实施例提供了一种阵列基板及其制造方法、显示面板。所述技术方案如下：

第一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：

多条栅线、多条数据线、及由所述栅线和所述数据线交叉围成的多个像素单元，所述多个像素单元呈阵列排布；

每个所述像素单元包括：相互绝缘的第一像素电极和第二像素电极，所述第一像素电极和所述第二像素电极位于所述像素单元的横轴两侧，以及与所述第一像素电极连接的第一薄膜晶体管，与所述第二像素电极连接的第二薄膜晶体管，所述横轴与所述栅线的延伸方向呈预设夹角；

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管能够分别为所述第一像素电极和所述第二像素电极加载不同极性的电压信号。

可选地，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极与相邻的两条栅线分别连接，使得所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的导通时段相同。

可选地，所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极与相邻的两条栅线分别连接，使得所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的导通时段不同。

可选地，所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极与同一条数据线连接；

或者，所述第一薄膜晶体管的源极与第一数据线连接，所述第二薄膜晶体管的源极与第二数据线连接，所述第一数据线上加载的源极信号与第一栅极驱动信号存在第一电位差，所述第二数据线上加载的源极信号与第二栅极驱动信号存在第二电位差，所述第一电位差与所述第二电位差极性相反，所述第一栅极驱动信号为所述第一薄膜晶体管的栅极上加载的驱动信号，所述第二栅极驱动信号为所述第二薄膜晶体管的栅极上加载的驱动信号。

可选地，所述第一像素电极和所述第二像素电极对称分布在所述横轴两侧。

可选地，所述第一像素电极上设置有多个平行排布条状镂空区域；

所述第二像素电极上设置有多个平行排布条状镂空区域；