[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板有效

专利信息
申请号: 201710434369.7 申请日: 2017-06-09
公开(公告)号: CN107015406B 公开(公告)日: 2020-03-13
发明(设计)人: 刘冬妮;方正;陈小川;杨盛际 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司
主分类号: G02F1/1343 分类号: G02F1/1343;G02F1/1362
代理公司: 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 代理人: 滕一斌
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 阵列 及其 制造 方法 显示 面板
【权利要求书】:

1.一种阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括:

多条栅线、多条数据线、及由所述栅线和所述数据线交叉围成的多个像素单元,所述多个像素单元呈阵列排布;

每个所述像素单元包括:相互绝缘的第一像素电极和第二像素电极,所述第一像素电极和所述第二像素电极位于所述像素单元的横轴两侧,以及与所述第一像素电极连接的第一薄膜晶体管,与所述第二像素电极连接的第二薄膜晶体管,所述横轴与所述栅线的延伸方向呈预设夹角,所述预设夹角大于或等于0度,且小于或等于10度;

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管能够分别为所述第一像素电极和所述第二像素电极加载不同极性的电压信号;所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极与相邻的两条栅线分别连接,使得所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的导通时段相同,或者,使得所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的导通时间不重叠;

所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极与同一条数据线连接,或者,所述第一薄膜晶体管的源极与第一数据线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与第二数据线连接,所述第一数据线上加载的源极信号与第一栅极驱动信号存在第一电位差,所述第二数据线上加载的源极信号与第二栅极驱动信号存在第二电位差,所述第一电位差与所述第二电位差极性相反,所述第一栅极驱动信号为所述第一薄膜晶体管的栅极上加载的驱动信号,所述第二栅极驱动信号为所述第二薄膜晶体管的栅极上加载的驱动信号,所述第一像素电极靠近所述横轴附近的电极部分和所述第二像素电极靠近所述横轴附近的电极部分与公共电极之间的电场作用相互抵消。

2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,

所述第一像素电极和所述第二像素电极对称分布在所述横轴两侧。

3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,

所述第一像素电极上设置有多个平行排布条状镂空区域;

所述第二像素电极上设置有多个平行排布条状镂空区域;

所述第一像素电极上的任一条状镂空区域与所述第二像素电极上的任一条状镂空区域不平行且均与所述横轴存在夹角。

4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,

所述第一薄膜晶体管为N型晶体管,所述第二薄膜晶体管为P型晶体管。

5.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,所述方法包括:

在衬底基板上形成栅线、数据线、有源层及源漏极,从而形成第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管;

所述有源层包括第一有源层和第二有源层,所述第一有源层为所述第一薄膜晶体管的有源层,第二有源层为所述第二薄膜晶体管的有源层;

所述栅线和所述数据线交叉围成多个像素单元,所述多个像素单元呈阵列排布,每个所述像素单元包括:相互绝缘的第一像素电极和第二像素电极,所述第一像素电极和所述第二像素电极位于所述像素单元的横轴两侧,以及与所述第一像素电极连接的第一薄膜晶体管,与所述第二像素电极连接的第二薄膜晶体管,所述横轴与所述栅线的延伸方向平行;

所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管能够分别为所述第一像素电极和所述第二像素电极加载不同极性的电压信号;所述第一薄膜晶体管的栅极和所述第二薄膜晶体管的栅极与相邻的两条栅线分别连接,使得所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的导通时段相同,或者,使得所述第一薄膜晶体管与所述第二薄膜晶体管的导通时间不重叠;

所述第一薄膜晶体管的源极和所述第二薄膜晶体管的源极与同一条数据线连接,或者,所述第一薄膜晶体管的源极与第一数据线连接,所述第二薄膜晶体管的源极与第二数据线连接,所述第一数据线上加载的源极信号与第一栅极驱动信号存在第一电位差,所述第二数据线上加载的源极信号与第二栅极驱动信号存在第二电位差,所述第一电位差与所述第二电位差极性相反,所述第一栅极驱动信号为所述第一薄膜晶体管的栅极上加载的驱动信号,所述第二栅极驱动信号为所述第二薄膜晶体管的栅极上加载的驱动信号,所述第一像素电极靠近所述横轴附近的电极部分和所述第二像素电极靠近所述横轴附近的电极部分与公共电极之间的电场作用相互抵消。

6.一种显示面板,其特征在于,包括权利要求1至4任一所述的阵列基板。

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