[发明专利]光发射元件

说明书

技术领域

本发明涉及光发射元件。

背景技术

JP-A-2000-106471披露了具有包括将有源层置于p型分布反馈反射器与n型分布反馈反射器之间的层结构的光发射区域的垂直腔面发射激光器，其中，光发射区域被高电阻区域包围，具有与光发射区域相同的层结构的监测光电二极管形成在高电阻区域周围，并且光发射区域的光强度分布的下部到达监测光电二极管的光吸收部分。

发明内容

本发明的目的在于提供这样的光发射元件：与在背面上具有共用电极的集成有监测光接收元件的光发射元件相比，本发明的光发射元件能够防止光发射部分与光接收部分之间的电串扰。

根据本发明的第一方面，光发射元件包括：

光发射部分，其形成在半绝缘基板的前表面侧；以及

光接收部分，其形成在所述前表面侧，与所述光发射部分共享半导体层，并且接收来自所述光发射部分通过所述半导体层沿横向方向传播的光，其中

所述光发射部分和所述光接收部分各自的阳极电极以及阴极电极以所述阳极电极彼此分离并且所述阴极电极彼此分离的状态形成在所述前表面侧。

根据本发明的第二方面，在第一方面所述的光发射元件中，

所述光发射部分和所述光接收部分共享量子层，并且

在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述前表面侧起到未到达所述量子层的深度形成有电流阻挡区域。

根据本发明的第三方面，在第一方面所述的光发射元件中，

所述光发射部分和所述光接收部分共享量子层，并且

在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述前表面侧起到超过所述量子层的深度形成有电流阻挡区域。

根据本发明的第四方面，在第一方面所述的光发射元件中，

所述光发射部分和所述光接收部分共享量子层，并且

在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述前表面侧起到到达所述半绝缘基板的深度形成有电流阻挡区域。

根据本发明的第五方面，在根据第二方面至第四方面中的任一方面所述的光发射元件中，

所述电流阻挡区域形成有以下部分中的至少一者：(i)通过将预定离子注入所述半导体层而形成的离子注入区域；以及(ii)设置在所述半导体层中的凹陷部分。

根据本发明的第六方面，在第一方面至第五方面中的任一方面所述的光发射元件中，

所述光发射部分和所述光接收部分共享量子层，并且

在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述半绝缘基板的背面侧起到超过所述半绝缘基板的厚度且不超过所述量子层的深度形成有凹槽。

根据本发明的第七方面，在第一方面至第六方面中的任一方面所述的光发射元件中，

所述光发射部分和所述光接收部分至少部分地彼此电分离。

根据本发明的第八方面，根据第一方面至第七方面中的任一方面所述的光发射元件还包括：

电压转换单元，其与所述光接收部分连接，并且将由所述光接收部分接收的光所生成的电流转换为电压。

本发明的第一方面提供了这样的效果：与在背面上具有共用电极的集成有监测光接收元件的光发射元件相比，防止了所述光发射部分与所述光接收部分之间的电串扰。

本发明的第二方面提供了这样的效果：与在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述前表面侧起到到达所述量子层的深度形成有电流阻挡区域的情况相比，防止了有源区域劣化。

本发明的第三方面提供了这样的效果：与在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述前表面侧起到未到达所述量子层的深度形成有电流阻挡区域的情况相比，所述光发射部分和所述光接收部分更加可靠地彼此电分离。

本发明的第四方面提供了这样的效果：与在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述前表面侧起到到达所述量子层的深度形成有电流阻挡区域的情况相比，所述光发射部分和所述光接收部分更加可靠地彼此电分离。

本发明的第五方面提供了这样的效果：与通过除了离子注入区域和凹陷部分以外的方法形成所述电流阻挡区域的情况相比，所述光发射部分和所述光接收部分更加容易地彼此电分离。

本发明的第六方面提供了这样的效果：与在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述半绝缘基板的背面侧起到不超过所述半绝缘基板的厚度的深度形成有凹槽的情况相比，所述光发射部分和所述光接收部分更加可靠地彼此电分离。