[发明专利]光发射元件在审
| 申请号： | 201710431945.2 | 申请日： | 2017-06-09 |
| 公开（公告）号： | CN107611778A | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 城岸直辉;樱井淳;村上朱实;近藤崇;早川纯一朗 | 申请（专利权）人： | 富士施乐株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/183 | 分类号： | H01S5/183 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司11112 | 代理人： | 顾红霞,龙涛峰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发射 元件 | ||
1.一种光发射元件，包括：
光发射部分，其形成在半绝缘基板的前表面侧；以及
光接收部分，其形成在所述前表面侧，与所述光发射部分共享半导体层，并且接收来自所述光发射部分通过所述半导体层沿横向方向传播的光，其中
所述光发射部分和所述光接收部分各自的阳极电极以及阴极电极以所述阳极电极彼此分离并且所述阴极电极彼此分离的状态形成在所述前表面侧。
2.根据权利要求1所述的光发射元件，其中
所述光发射部分和所述光接收部分共享量子层，并且
在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述前表面侧起到未到达所述量子层的深度形成有电流阻挡区域。
3.根据权利要求1所述的光发射元件，其中
所述光发射部分和所述光接收部分共享量子层，并且
在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述前表面侧起到超过所述量子层的深度形成有电流阻挡区域。
4.根据权利要求1所述的光发射元件，其中
所述光发射部分和所述光接收部分共享量子层，并且
在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述前表面侧起到到达所述半绝缘基板的深度形成有电流阻挡区域。
5.根据权利要求2至4中任一项所述的光发射元件，其中
所述电流阻挡区域形成有以下部分中的至少一者：(i)通过将预定离子注入所述半导体层而形成的离子注入区域；以及(ii)设置在所述半导体层中的凹陷部分。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的光发射元件，其中
所述光发射部分和所述光接收部分共享量子层，并且
在所述光发射部分与所述光接收部分之间从所述半绝缘基板的背面侧起到超过所述半绝缘基板的厚度且不超过所述量子层的深度形成有凹槽。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的光发射元件，其中
所述光发射部分和所述光接收部分至少部分地彼此电分离。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的光发射元件，还包括：
电压转换单元，其与所述光接收部分连接，并且将由所述光接收部分接收的光所生成的电流转换为电压。
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