[发明专利]半导体结构及其形成方法

说明书

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底；在所述基底上形成多晶硅层；采用有机酸溶液，对所述多晶硅层进行第一清洗处理。本发明采用有机酸溶液对多晶硅层进行第一清洗处理，使所述多晶硅层表面由疏水性变为亲水性，从而提高对所述多晶硅层的清洗效果，降低所述多晶硅层表面的杂质数，进而有利于提高半导体器件的电学性能和良率。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其涉及一种半导体结构及其形成方法。

背景技术

在半导体制造中，随着超大规模集成电路的发展趋势，集成电路特征尺寸持续减小。为了适应特征尺寸的减小，MOSFET的沟道长度也相应不断缩短。然而，随着器件沟道长度的缩短，器件源极与漏极间的距离也随之缩短，因此栅极对沟道的控制能力随之变差，栅极电压夹断(pinch off)沟道的难度也越来越大，使得亚阈值漏电(subthresholdleakage)现象，即所谓的短沟道效应(SCE：short-channel effects)更容易发生。

因此，为了更好的适应特征尺寸的减小，半导体工艺逐渐开始从平面MOSFET向具有更高功效的三维立体式的晶体管过渡，如鳍式场效应管(FinFET)。FinFET中，栅至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制，与平面MOSFET相比，栅极对沟道的控制能力更强，能够很好的抑制短沟道效应；且FinFET相对于其他器件，与现有集成电路制造具有更好的兼容性。

但是，现有技术形成的半导体器件的电学性能和良率仍有待提高。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法，优化半导体器件的电学性能和良率。

为解决上述问题，本发明提供一种半导体结构的形成方法，包括：提供基底；在所述基底上形成多晶硅层；采用有机酸溶液，对所述多晶硅层进行第一清洗处理。

可选的，在所述基底上形成多晶硅层的步骤包括：在所述基底上形成多晶硅膜；对所述多晶硅膜进行研磨操作，形成多晶硅层。

可选的，所述有机酸溶液包含亲水功能团和疏水功能团。

可选的，所述疏水功能团包括烷基或苯环，所述亲水功能团包括羟基或羧基。

可选的，采用软研磨垫，对所述多晶硅层进行第一清洗处理。

可选的，所述第一清洗处理的参数包括：下压力为1psi至3psi，基座转速为30rpm至100rpm，所述有机酸溶液的流速为150ml/min至400ml/min，处理时间为20s至80s。

可选的，在所述第一清洗处理后，还包括步骤：对所述多晶硅层进行第二清洗处理。

可选的，对所述多晶硅层进行第二清洗处理的步骤包括：采用有机酸溶液，对所述多晶硅层进行第一清洗操作；采用去离子水，对所述多晶硅层进行第二清洗操作，去除所述多晶硅层表面的有机酸溶液。

可选的，所述第一清洗操作的步骤包括：对所述多晶硅层进行超声波清洗；在所述超声波清洗后，采用第一清洗刷，对所述多晶硅层进行第一刷洗操作；采用第二清洗刷，对所述多晶硅层进行第二刷洗操作。

可选的，采用所述第二清洗刷，对所述多晶硅层进行第二清洗操作。

可选的，所述第二清洗操作的参数包括：去离子水的流速为1500ml/min至3000ml/min，清洗时间为5s至20s。

相应的，本发明还提供一种采用上述形成方法所形成的半导体结构。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：