[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201710426925.6 | 申请日： | 2017-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN109037025A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 蒋莉 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶硅层 多晶硅层表面 半导体结构 有机酸溶液 清洗处理 基底 半导体器件 电学性能 清洗效果 亲水性 疏水性 良率 | ||
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：
提供基底；
在所述基底上形成多晶硅层；
采用有机酸溶液，对所述多晶硅层进行第一清洗处理。
2.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述基底上形成多晶硅层的步骤包括：
在所述基底上形成多晶硅膜；
对所述多晶硅膜进行研磨操作，形成多晶硅层。
3.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述有机酸溶液包含亲水功能团和疏水功能团。
4.如权利要求3所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述疏水功能团包括烷基或苯环，所述亲水功能团包括羟基或羧基。
5.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用软研磨垫，对所述多晶硅层进行第一清洗处理。
6.如权利要求5所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一清洗处理的参数包括：下压力为1psi至3psi，基座转速为30rpm至100rpm，所述有机酸溶液的流速为150ml/min至400ml/min，处理时间为20s至80s。
7.如权利要求1所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，在所述第一清洗处理后，还包括步骤：对所述多晶硅层进行第二清洗处理。
8.如权利要求7所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，对所述多晶硅层进行第二清洗处理的步骤包括：
采用有机酸溶液，对所述多晶硅层进行第一清洗操作；
采用去离子水，对所述多晶硅层进行第二清洗操作，去除所述多晶硅层表面的有机酸溶液。
9.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第一清洗操作的步骤包括：
对所述多晶硅层进行超声波清洗；
在所述超声波清洗后，采用第一清洗刷，对所述多晶硅层进行第一刷洗操作；
采用第二清洗刷，对所述多晶硅层进行第二刷洗操作。
10.如权利要求9所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，采用所述第二清洗刷，对所述多晶硅层进行第二清洗操作。
11.如权利要求8所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，所述第二清洗操作的参数包括：去离子水的流速为1500ml/min至3000ml/min，清洗时间为5s至20s。
12.一种如权利要求1至11任一项形成方法所形成的半导体结构。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
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