[发明专利]双氧水稳定剂及包含其的蚀刻组合物

说明书

本发明提供双氧水稳定剂及包含其的蚀刻组合物，本发明的蚀刻组合物通过包含本发明的双氧水稳定剂，来当进行蚀刻工序时，防止过氧化氢的分解，并控制金属界面的过蚀刻，从而具有优秀的蚀刻特性。

技术领域

本发明涉及双氧水稳定剂及包含其的蚀刻组合物，更详细地涉及包含双氧水稳定剂及其的用作薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的电极等的使用于过渡金属膜的蚀刻的蚀刻组合物。

背景技术

通常，在半导体装置中在基板上形成金属接线的过程包括：溅射工序，用于形成金属膜；基于光敏抗蚀剂涂敷、曝光及显像的蚀刻工序所需的图案的光敏抗蚀剂形成工序；蚀刻工序，用于形成接线；以及剥离工序，用于去除形成接线后无需的光敏抗蚀剂。

为了制备半导体装置及薄膜晶体管液晶显示器的基板，作为薄膜晶体管(TFT)的栅极和数据线电极用接线材料通常使用铝或铝合金层，但是为了实现大型显示器，需要减少电极用接线的电阻，为此进行在形成接线中使用作为电阻低的金属的铜的试图。

由此，还进行使用于铜膜蚀刻的与蚀刻组合物相关的研究，通常为了对由这种铜形成的接线的铜膜进行蚀刻，主要利用过氧化氢类或过氧单磺酸钾类蚀刻组合物。

但是，过氧单磺酸钾类蚀刻组合物具有蚀刻速度缓慢，具有基于经时的不稳定性的缺点，过氧化氢类蚀刻组合物还具有蚀刻组合物本身被分解或因基于经时的急剧的变化仍然不稳定的缺点。

为了解决上述问题，在韩国公开专利第2010-0040352号中公知包含过氧化氢、磷酸、磷酸盐、螯合剂及环状胺化合物的过氧化氢类蚀刻组合物。

但是仍然产生歧化反应，来存在蚀刻组合物本身分解而不稳定的缺点，尤其，环状胺化合物与进行铜膜蚀刻时所产生的铜离子相结合，在上述情况下，具有如下问题：在蚀刻组合物内存在氯离子的情况下，若氯离子和上述结合物反应，则产生难溶性的析出物等。

另一方面，为了形成接线利用铜膜的工序存在与硅绝缘膜的粘结力降低的温蒂。为了弥补这种铜膜的缺点将钛、钼合金、钼等用作下部阻隔金属。

在阻隔金属为钛、钼合金的情况下，因化学性质具有需要仅利用特定离子或特定条件进行蚀刻的缺点，在阻隔金属为钼的情况下，与有利的铜/钛、铜/钼合金膜相比，蚀刻工序具有与铜膜和钼膜的粘结力降低的缺点。尤其，在铜膜和钼膜的粘结力降低的部分中使基于蚀刻组合物的浸透的过蚀刻现象深化

因此，需求仍然既可适用于多种金属膜，又可有效地进行蚀刻的与蚀刻组合物有关的研究。

现有技术文献

专利文献：韩国公开专利第10-2010-0040352号

发明内容

技术问题

本发明提供使过氧化氢稳定的双氧水稳定剂。

本发明提供包含本发明的双氧水稳定剂的蚀刻组合物，具体地提供过渡金属用蚀刻组合物，通过包含使过氧化氢稳定而防止蚀刻组合物本身的分解的双氧水稳定剂，来具有优秀的蚀刻性能，并具有处理量增加及蚀刻均匀性。

并且，本发明提供蚀刻组合物，通过包含本发明的双氧水稳定剂，来可进行包含单一膜或铜等的双重金属膜的高选择性的蚀刻，并抑制过氧化氢的分解反应来可进行稳定的蚀刻工序。

技术方案

本发明提供包含划时代的使双氧水稳定的己胺的双氧水稳定剂。

并且，本发明替老公可进行高稳定性及高选择性蚀刻的蚀刻组合物，本发明的蚀刻组合物包含过氧化氢及本发明的双氧水稳定剂。

本发明一实施例的蚀刻组合物还可包含蚀刻抑制剂及螯合剂。