[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板

说明书

本发明公开一种阵列基板及其制造方法、显示面板。每一像素区域对应连接一数据线和一条扫描线，在每一像素区域中，第一TFT的源极和第二TFT的栅极位于同一层，第一TFT的栅极、第二TFT的源极和漏极以及扫描线位于同一层。基于此，本发明能够在改善VA显示的色偏现象的同时，提高像素开口率。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种阵列基板及其制造方法、显示面板。

背景技术

当前，VA(Vertical Alignment,垂直配向)模式的LCD(Liquid Crystal Display,液晶显示器)由于具有高对比度和大视角等优点脱颖而出，LCD将一个像素划分为两个子像素，且两个子像素分别具有TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)，通过两个TFT控制两个子像素实现不同电位，以此改善VA显示的色偏(Color Shift)现象。但是，现有技术需要增加一条数据线或扫描线以作为电荷共享线(Charge Sharing Line)，形成该电荷共享线会占据显示区域的面积，从而降低像素开口率。

发明内容

有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制造方法、显示面板，能够在改善VA显示的色偏现象的同时，提高像素开口率。

本发明一实施例的阵列基板，包括多个像素区域，每一像素区域对应连接一数据线和一条扫描线，每一像素区域包括第一子像素电极、第二子像素电极、第一TFT和第二TFT，第一子像素电极和第二子像素电极位于扫描线两侧且沿数据线延伸方向依次间隔设置，第一TFT的源极和栅极分别与数据线和扫描线连接，第一子像素电极与第一TFT的半导体图案连接，第二TFT的源极、漏极和栅极分别与数据线、第二子像素电极和扫描线连接，第一TFT的源极和第二TFT的栅极位于同一层，第一TFT的栅极、第二TFT的源极和漏极以及扫描线位于同一层。

本发明一实施例的显示面板，包括上述阵列基板。

本发明一实施例的阵列基板的制造方法，包括：

提供一衬底基材；

在衬底基材形成第一金属层，所述第一金属层包括间隔设置的第一区域和第二区域，第一区域和第二区域的第一金属层分别用于形成第一TFT的源极和第二TFT的栅极；

在第一金属层上形成覆盖衬底基材的绝缘层，绝缘层在第一TFT的源极上方开设有暴露第一区域的第一金属层的第一接触孔、在第二TFT的栅极上方开设有暴露第二区域的第一金属层的第二接触孔；

在第一接触孔中以及第二区域的第一金属层上方的绝缘层上形成半导体图案，形成于第一接触孔中的半导体图案与第一TFT的源极连接；

在半导体图案上形成覆盖绝缘层的第二金属层，第二金属层包括间隔设置的第三区域、第四区域和第五区域，第三区域的第二金属层用于形成扫描线和第一TFT的栅极，第三区域的第二金属层覆盖于第二接触孔中并与第二区域的第一金属层连接，第四区域的第二金属层用于形成第二TFT的源极，第五区域的第二金属层用于形成第二TFT的漏极；

在第二金属层上形成平坦钝化层，平坦钝化层在第一TFT的源极上方开设有暴露半导体图案的第三接触孔、在第二TFT的漏极上方开设有暴露第二TFT的漏极的第四接触孔；

形成覆盖于第三接触孔中的第一子像素电极，第一子像素电极与第一TFT的源极上方的半导体图案连接；

形成覆盖于第四接触孔中的第二子像素电极，第二子像素电极与第二TFT的漏极连接。

有益效果：本发明设计第一TFT的源极和第二TFT的栅极位于同一层，第一TFT的栅极、第二TFT的源极和漏极以及扫描线位于同一层，使得两个TFT共享一条扫描线，无需增加电荷共享线，从而能够在改善VA显示的色偏现象的同时，提高像素开口率。

附图说明