[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，包括多个像素区域，其特征在于，每一像素区域对应连接一数据线和一条扫描线，每一像素区域包括第一子像素电极、第二子像素电极、第一TFT和第二TFT，所述第一子像素电极和第二子像素电极位于所述扫描线两侧且沿所述数据线延伸方向依次间隔设置，其中，所述第一TFT的源极和栅极分别与数据线和扫描线连接，所述第一子像素电极与所述第一TFT的半导体图案连接，所述第二TFT的源极、漏极和栅极分别与数据线、第二子像素电极和扫描线连接，所述第一TFT的源极和所述第二TFT的栅极位于同一层，所述第一TFT的栅极、所述第二TFT的源极和漏极以及所述扫描线位于同一层；

其中，所述阵列基板包括衬底基材以及依次形成于所述衬底基材上的：

第一金属层，包括间隔设置的第一区域和第二区域，所述第一区域的第一金属层用于形成第一TFT的源极，所述第二区域的第一金属层用于形成第二TFT的栅极；

绝缘层，覆盖于所述第一金属层上，所述绝缘层在第一TFT的源极上方开设有暴露所述第一区域的第一金属层的第一接触孔、在第二TFT的栅极上方开设有暴露所述第二区域的第一金属层的第二接触孔；

半导体图案，形成于所述第一接触孔中，以及所述第二区域的第一金属层上方的绝缘层上，形成于所述第一接触孔中的半导体图案与所述第一TFT的源极连接；

第二金属层，包括间隔设置的第三区域、第四区域和第五区域，所述第三区域的第二金属层用于形成扫描线和第一TFT的栅极，所述第三区域的第二金属层覆盖于所述第二接触孔中并与所述第二区域的第一金属层连接，所述第四区域的第二金属层用于形成所述第二TFT的源极，所述第五区域的第二金属层用于形成所述第二TFT的漏极；

平坦钝化层，覆盖于所述第二金属层上，所述平坦钝化层在第一TFT的源极上方开设有暴露所述半导体图案的第三接触孔、在第二TFT的漏极上方开设有暴露所述第二TFT的漏极的第四接触孔；

所述第一子像素电极，覆盖于所述第三接触孔中并与所述第一TFT的源极上方的半导体图案连接；

所述第二子像素电极，覆盖于所述第四接触孔中并与所述第二TFT的漏极连接。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述数据线与所述第一TFT的源极以及所述第二TFT的栅极位于同一层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子像素电极和第二子像素电极位于同一层。

4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一子像素电极的面积小于所述第二子像素电极的面积。

5.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括上述权利要求1～4任一项所述的阵列基板。