[发明专利]一种驱动电路及汽车

说明书

技术领域

本发明涉及电路设计技术领域，特别涉及一种驱动电路及汽车。

背景技术

在驱动电路中，采用脉冲宽度调制(PWM，Pulse Width Modulation)驱动方式时，往往为低电平0V关断，高电平+18V开通。但是，当驱动电路中金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET，Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)关断时，驱动电平(0V)容易受到对管开关的干扰，引起2～3V电压尖峰，如果达到金属-氧化物半导体场效应晶体管导通门限Vth电压，则会导致本应该处于关断状态的金属-氧化物半导体场效应晶体管误开通，引起上下桥臂直通短路，有可能导致充电机工作异常或金属-氧化物半导体场效应晶体管炸裂。

发明内容

本发明实施例要解决的技术问题是提供一种驱动电路及汽车，用以实现通过稳压电路使在有干扰情况下金属-氧化物半导体场效应晶体管的电压也不会达到导通门限。

为解决上述技术问题，本发明实施例提供了一种驱动电路，包括：

驱动信号源；

第一金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述驱动信号源与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极和栅极连接形成一闭合回路，其中所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏级与一预设电压端连接；

串联于所述闭合回路中的稳压电路；

其中，在所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管处于断开状态时，所述稳压电路使所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极和栅极之间的电压小于预设值。

进一步的，所述驱动电路还包括：

泄压电路，设置于与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管并联的支路上，用于在所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管呈断开状态时，连通所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述驱动信号源，使所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极的电压降低。

进一步的，所述稳压电路包括：第一稳压管和电容；

其中，所述第一稳压管的正极分别与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述电容的第一端连接，所述第一稳压管的负极分别与所述驱动信号源和所述电容的第二端连接；

所述电容的第一端还与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，所述电容的第二端还与所述驱动信号源连接。

进一步的，所述泄压电路包括第二金属-氧化物半导体场效应晶体管；

所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极分别与所述驱动信号源和所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接，源极分别与所述驱动信号源和所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接，漏级分别与所述稳压电路和所述驱动信号源连接。

进一步的，所述泄压电路还包括：第一电阻、第一二极管和第二稳压管；

其中，所述第一电阻的第一端分别与所述驱动信号源和所述第一二极管的正极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极、所述第一二极管的负极和所述第二稳压管的负极连接；

所述第一二极管的第一端还与所述驱动信号源连接，所述第一二极管的第二端还分别与所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极和第二稳压管的负极连接；

所述第二稳压管的正极与驱动信号源连接，所述第二稳压管的负极还与所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接。

进一步的，所述驱动电路还包括串联在所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极与所述驱动信号源连接的电路上的第二二极管；

其中，所述第二二极管的正极与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接，所述第二二极管的负极与所述驱动信号源连接。

进一步的，所述驱动电路还包括第二电阻；

其中，所述第二电阻的第一端与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，第二端与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接。

进一步的，所述稳压电路与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接的电路上设置有第三电阻。

进一步的，所述稳压电路与所述驱动信号源连接的电路上设置有第四电阻。

根据本发明又一方面，本发明实施例还提供了一种汽车，包括充电电路，还包括如上所述的驱动电路。

与现有技术相比，本发明实施例提供的一种驱动电路及汽车，至少具有以下有益效果：