[发明专利]一种驱动电路及汽车

权利要求书

1.一种驱动电路，其特征在于，包括：

驱动信号源；

第一金属-氧化物半导体场效应晶体管，所述驱动信号源与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极和栅极连接形成一闭合回路，其中所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的漏级与一预设电压端连接；

串联于所述闭合回路中的稳压电路；

其中，在所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管处于断开状态时，所述稳压电路使所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极和栅极之间的电压小于预设值。

2.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括：

泄压电路，设置于与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管并联的支路上，用于在所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管呈断开状态时，连通所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极与所述驱动信号源，使所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极的电压降低。

3.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述稳压电路包括：第一稳压管和电容；

其中，所述第一稳压管的正极分别与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极和所述电容的第一端连接，所述第一稳压管的负极分别与所述驱动信号源和所述电容的第二端连接；

所述电容的第一端还与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，所述电容的第二端还与所述驱动信号源连接。

4.根据权利要求2所述的驱动电路，其特征在于，所述泄压电路包括第二金属-氧化物半导体场效应晶体管；

所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极分别与所述驱动信号源和所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接，源极分别与所述驱动信号源和所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接，漏级分别与所述稳压电路和所述驱动信号源连接。

5.根据权利要求4所述的驱动电路，其特征在于，所述泄压电路还包括：第一电阻、第一二极管和第二稳压管；

其中，所述第一电阻的第一端分别与所述驱动信号源和所述第一二极管的正极连接，所述第一电阻的第二端分别与所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极、所述第一二极管的负极和所述第二稳压管的负极连接；

所述第一二极管的第一端还与所述驱动信号源连接，所述第一二极管的第二端还分别与所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极和第二稳压管的负极连接；

所述第二稳压管的正极与驱动信号源连接，所述第二稳压管的负极还与所述第二金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接。

6.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括串联在所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极与所述驱动信号源连接的电路上的第二二极管；

其中，所述第二二极管的正极与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接，所述第二二极管的负极与所述驱动信号源连接。

7.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述驱动电路还包括第二电阻；

其中，所述第二电阻的第一端与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接，第二端与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的源极连接。

8.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述稳压电路与所述第一金属-氧化物半导体场效应晶体管的栅极连接的电路上设置有第三电阻。

9.根据权利要求1所述的驱动电路，其特征在于，所述稳压电路与所述驱动信号源连接的电路上设置有第四电阻。

10.一种汽车，包括充电电路，其特征在于，还包括如权利要求1～9任一项所述的驱动电路。