[发明专利]半导体封装结构及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体封装结构，其包含：

第一芯片，其具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面；

支撑件，其围绕所述第一芯片的边缘，其中所述支撑件包括凹陷部分；

导电层，其位在所述第一芯片的所述第一表面上方并电连接到所述第一芯片；

绝缘层，其位在所述第一芯片的所述第一表面上方，其中所述绝缘层朝向所述支撑件延伸并在垂直投影方向上与所述支撑件重叠；及

模封层，其位在所述第一芯片及所述支撑件之间并围绕至少所述第一芯片的所述边缘，其中所述支撑件具有一面对所述绝缘层的一表面，且所述模封层暴露出所述支撑件的所述表面。

2.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中(i)所述模封层覆盖所述第一芯片的所述第二表面及所述支撑件；(ii)所述模封层暴露所述第一芯片的所述第二表面并覆盖所述支撑件；或者(iii)所述模封层暴露所述第一芯片的所述第二表面及所述支撑件。

3.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包含第一导体，其位在所述第一芯片的所述第一表面及所述导电层之间，其中所述第一芯片及所述导电层通过所述第一导体电连接。

4.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包含：

封装衬底；及

第二导体，其位在所述绝缘层及所述封装衬底之间，其中所述导电层及所述封装衬底通过所述第二导体电连接。

5.根据权利要求4所述的半导体封装结构，其进一步包含：

电路板；及

第三导体，其位在所述封装衬底及所述电路板之间，其中所述封装衬底及所述电路板通过所述第三导体电连接。

6.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述支撑件包括第一区段及连接到所述第一区段的第二区段，所述第二区段包括所述凹陷部分，且所述第二区段的厚度小于所述第一区段的厚度。

7.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其中所述导电层是位在所述绝缘层中的重布层RDL。

8.根据权利要求1所述的半导体封装结构，其进一步包含第二芯片及贯穿所述模封层的模封通孔，所述第二芯片面向所述第一芯片的所述第二表面并通过所述导电层及所述模封通孔电连接到所述第一芯片。

9.一种半导体封装结构，其包含：

第一芯片，其具有第一表面及相对于所述第一表面的第二表面；

支撑件，其围绕所述第一芯片的边缘，其中所述支撑件包括凹陷部分；

导电层，其位在所述第一芯片的所述第一表面上方并电连接到所述第一芯片；

绝缘层，其位在所述导电层上方，其中所述绝缘层包含第一部分及连接到所述第一部分的第二部分，所述第一部分在垂直投影方向上与所述第一芯片重叠，所述第二部分在所述垂直投影方向上与所述支撑件重叠，且所述第一部分及所述第二部分位在不同的水平高度上；及

模封层，其位在所述第一芯片及所述支撑件之间并围绕至少所述第一芯片的所述边缘。

10.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其进一步包含第一导体，其位在所述第一芯片的所述第一表面及所述导电层之间，其中所述第一芯片及所述导电层通过所述第一导体电连接。

11.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其进一步包含：

重布层RDL，其位在所述绝缘层中并通过所述导电层电连接到所述第一芯片；

封装衬底；及

第二导体，其位在所述绝缘层及所述封装衬底之间，其中所述RDL及所述封装衬底通过所述第二导体电连接。

12.根据权利要求9所述的半导体封装结构，其中(i)所述模封层覆盖所述第一芯片的所述第二表面及所述支撑件；(ii)所述模封层暴露所述第一芯片的所述第二表面并覆盖所述支撑件；或者(iii)所述模封层暴露所述第一芯片的所述第二表面及所述支撑件。