[发明专利]一种显示基板的测试方法及应用于显示设备的基板有效
申请号: | 201710406008.1 | 申请日: | 2017-06-01 |
公开(公告)号: | CN107123384B | 公开(公告)日: | 2020-09-04 |
发明(设计)人: | 彭邦银 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电技术有限公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 钟子敏 |
地址: | 518006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 显示 测试 方法 应用于 设备 | ||
本发明公开了一种显示基板的测试方法及应用于显示设备的基板,其中该应用于显示设备的基板包括:基板本体,其一表面形成有多个组合显示基板,每个组合显示基板包括较大显示基板与较小显示基板,且该组合显示基板外围区域设有测试线路,该测试线路包括成膜保证区与非成膜保证区;其中,对应不同的显示基板的测试走线及测试跨线交叉密集区设于成膜保证区。本发明减少了因测试跨线和测试走线交叉布线造成的静电释放问题。
技术领域
本发明涉及液晶显示器领域,特别是涉及一种显示基板的测试方法及应用于显示设备的基板。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display,简称TFT-LCD)是一种重要的平板显示设备,它的主体结构为对盒设置的阵列基板和彩膜基板,以及填充在阵列基板和彩膜基板之间的液晶层。在阵列基板上形成有栅线和数据线以及由栅线和数据线限定的像素单元,每个像素单元包括薄膜晶体管(Thin Film Transistor,简称TFT)和像素电极。在显示过程中,TFT作为开关控制对液晶施加驱动电场,从而控制液晶的旋转,实现画面的显示。通常在彩膜基板上形成有黑矩阵,其与阵列基板上的非显示基板位置对应,用于防止非显示基板漏光,影响显示质量。
ESD(Electro-Static discharge,静电释放)通常会发生在TFT基板制程过程中。ESD发生的地方一般集中在双层或多层金属测试跨线处,特别是靠近TFT基板边缘有测试跨线的地方极易发生。例如,MMG4322是将43寸和22寸两个大小不同的基板混合设计在同一玻璃基板上,玻璃基板利用率达到95%以上,故其外围的光配(HVA)测试走线距离TFT玻璃基板的边缘仅有11mm左右,这甚至超出物理气相沉积的成膜保证。再者,由于测试走线数目比纯切产品的数目增加一倍,测试跨线的数目也比纯切产品增多很多,所以更加增大了MMG4322的ESD发生的概率。
如图5所示,图5是现有技术的应用于显示设备的基板的一实施方式的部分结构示意图。从图5可以看到,现有技术的这种基板包括形成于衬底基板1上的较大显示基板3和较小显示基板2,其中跨线和走线交叉的密集区在较大显示基板的边缘,这里恰恰是非成膜保证区,而跨线和走线交叉的稀疏区在成膜保证区,这种线路设计会使得非成膜保证区容易发生ESD问题。
发明内容
本发明主要提供一种显示基板的测试方法及应用于显示设备的基板,以解决现有技术中,在组合显示基板外围的测试线路中,由于跨线跨过的走线数目过多造成的ESD问题。
为解决上述技术问题,本发明采用的一技术方案如下:
一种应用于显示设备的基板,包括:
基板本体,其一表面形成有多个矩阵排列的组合显示基板,每个所述组合显示基板包括相互组合的较大显示基板与较小显示基板,每个所述组合显示基板的外围区域设有测试线路,所述测试线路包括成膜保证区与非成膜保证区;
其中,对应不同的所述较大显示基板和所述较小显示基板的测试走线及测试跨线,设置于所述测试线路,且所述测试跨线与所述测试走线的交叉密集区设于所述成膜保证区。
为解决上述技术问题,本发明采用的另一技术方案如下:
一种显示基板的测试方法,包括以下步骤:
提供一基板本体,所述基板本体的一表面形成有多个矩阵排列的组合显示基板,每个所述组合显示基板包括相互组合的较大显示基板与较小显示基板,每个所述组合显示基板的外围区域设有测试线路,所述测试线路包括成膜保证区与非成膜保证区,其中,对应不同的所述显示基板的测试走线及测试跨线,设置于所述测试线路,且所述测试跨线与所述测试走线的交叉密集区设于所述成膜保证区;
对所述测试走线/所述测试跨线施加测试信号,使所述测试信号通过对应的所述测试走线/所述跨线到达所述显示基板进行测试。
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