[发明专利]曝光装置、曝光方法以及物品制造方法有效

专利信息
申请号: 201710405957.8 申请日: 2017-06-01
公开(公告)号: CN107450279B 公开(公告)日: 2020-06-19
发明(设计)人: 平井真一郎;本岛顺一;大川直人 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: G03F7/20 分类号: G03F7/20
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 孙蕾
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 曝光 装置 方法 以及 物品 制造
【说明书】:

本发明提供一种曝光装置、曝光方法以及物品制造方法。本发明提供一种曝光装置,该曝光装置对基板的曝光区域进行曝光,该基板具有半导体芯片和配置在该半导体芯片的周围的模制材料。该曝光装置具有:载置台,保持所述基板地移动;测量部,在被所述载置台保持的所述基板的所述曝光区域的多个测量点处测量该基板的高度;以及控制部。所述控制部根据与所述基板中的所述半导体芯片的配置有关的设计数据,对所述多个测量点处的各个测量结果进行加权,根据该加权后的测量结果,控制所述载置台的高度以及倾斜度中的至少某一个。

技术领域

本发明涉及曝光装置、曝光方法以及物品制造方法。

背景技术

近年来,将被称为FOWLP(Fan Out Wafer Level Packaging,扇出型晶圆级封装)的半导体器件的封装方法引进到半导体器件制造工序中。在FOWLP中,构成图1所示的、前面的工序处理结束后将切割后的多个半导体芯片101排列并利用模制材料102加固的基板100。这样的基板100还被称为重建基板。而且,对该基板100使用利用曝光装置等进行的微光刻技术,形成图2所示的布线层103、电极焊盘104等。由图2可知,在FOWLP中,布线层103、电极焊盘104不仅形成在半导体芯片101上,还形成在模制材料102上。

由于封装的高密度化,所以特别是布线层103微细的情形较多,线宽为几微米(μm)左右。因此,在使用曝光装置来对它们构图时,基板的高度方向的位置对准变得重要。在该高度方向的位置对准时,一般预先测量基板的高度并调整保持基板的载置台的高度。

但是,难以使模制材料102平坦化,如图3所示,模制材料102的表面存在粗糙度3a、凹部3b或者凸部3c等,所以难以进行高精度的基板的高度测量。针对这样的课题,以往在判定为通过基板的高度测量得到的测量值为异常时,进行如下应对:在进行基板的高度方向的位置对准控制时将该测量值排除。例如,专利文献1公开了如下技术:由用于测量基板的高度的多个传感器测量曝光区域内的阶差形状,根据其测量结果,选择多个传感器中的用于基板的高度方向的位置对准控制的传感器。

专利文献1:日本特开2002-100552号公报

发明内容

但是,根据以往技术,有时由于基板的状态而不能正确地进行基板的高度测量的结果的正常、异常的判断,进行了不恰当的基板的高度位置对准从而无法进行微细的构图。

本发明的目的在于提供有利于形成于包括半导体芯片和模制材料的基板的布线层的高精度化的技术。

根据本发明的一个方面,提供一种曝光装置,对基板的曝光区域进行曝光,该基板具有半导体芯片和配置在该半导体芯片的周围的模制材料,其中,所述曝光装置具有:载置台,保持所述基板而移动;测量部,在被所述载置台保持的所述基板的所述曝光区域的多个测量点处测量该基板的高度;以及控制部,所述控制部根据与所述基板中的所述半导体芯片的配置有关的设计数据,对所述多个测量点处的各个测量结果进行加权,根据该加权后的测量结果,控制所述载置台的高度以及倾斜度中的至少某一个。

根据本发明的另一个方面,提供一种曝光方法,对基板的曝光区域进行曝光,该基板具有半导体芯片和配置在该半导体芯片的周围的模制材料,其中,所述曝光方法具有:在被载置台保持的所述基板的多个测量点处测量该基板的高度的工序;以及根据与所述基板中的所述半导体芯片的配置有关的设计数据,对所述多个测量点处的各个测量结果进行加权,根据该加权后的测量结果,控制所述载置台的高度以及倾斜度中的至少某一个的工序。

根据本发明的另一个方面,提供一种物品制造方法,包括使用上述曝光装置对基板进行曝光的工序;以及使在所述工序中进行了曝光的所述基板显影的工序,通过对显影后的所述基板进行加工来制造物品。

根据本发明,能够提供有利于形成于包括半导体芯片和模制材料的基板的布线层的高精度化的技术。

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