[发明专利]半导体器件

说明书

一种半导体器件包括：在基板上的包括第一区域和第二区域的场绝缘膜；在场绝缘膜的第一区域中的凹槽；在场绝缘膜的第二区域上的栅电极；以及沿栅电极的侧壁和凹槽的侧壁的栅间隔物。

技术领域

一个或更多实施方式涉及半导体器件以及用于制造半导体器件的方法。

背景技术

不断地进行尝试以减小半导体器件的大小从而实现更高的集成水平，同时提高运行速度。这些尝试包括减小半导体器件中的晶体管的尺寸。这已经导致了晶体管栅极的尺寸的减小以及晶体管栅极下面的沟道区的尺寸的减小。

发明内容

根据一个或更多个实施方式，一种半导体器件包括：在基板上的包括第一区域和第二区域的场绝缘膜；在场绝缘膜的第一区域中的凹槽；在场绝缘膜的第二区域上的栅电极；以及沿栅电极的侧壁和凹槽的侧壁的栅间隔物。

根据一个或更多个实施方式，一种半导体器件包括：在基板上的彼此相邻的第一鳍型图案和第二鳍型图案；场绝缘膜，覆盖第一鳍型图案的一部分和第二鳍型图案的一部分并且在第一鳍型图案和第二鳍型图案之间的基板上；第一栅电极和第二栅电极，在场绝缘膜上且交叉第一鳍型图案和第二鳍型图案，第一栅电极邻近第二栅电极；在第一栅电极和第二栅电极之间的场绝缘膜中的凹槽；在凹槽的侧壁上且包括第一部分和第二部分的衬垫，衬垫的第一部分在第一栅电极的侧壁和第二栅电极的侧壁上并且衬垫的第二部分在第一鳍型图案的侧壁和第二鳍型图案的侧壁上；第一外延图案，在第一栅电极和第二栅电极之间的第一鳍型图案上；以及第二外延图案，在第一栅电极和第二栅电极之间的第二鳍型图案上。

根据一个或更多个其它实施方式，一种半导体器件包括：在基板上的邻近第二鳍型图案的第一鳍型图案；第三鳍型图案，在第一鳍型图案和第二鳍型图案之间的基板上，第三鳍型图案和第一鳍型图案之间的距离大于第三鳍型图案和第二鳍型图案之间的距离；场绝缘膜，覆盖第一鳍型图案的一部分、第二鳍型图案的一部分以及第三鳍型图案的一部分，在第一鳍型图案和第二鳍型图案之间以及第二鳍型图案和第三鳍型图案之间的基板上；栅电极，在场绝缘膜上并且交叉第一至第三鳍型图案；第一凹槽，在第一鳍型图案和第三鳍型图案之间的场绝缘膜中；第二凹槽，在第二鳍型图案和第三鳍型图案之间的场绝缘膜中；栅间隔物，沿栅电极的侧壁、第一凹槽的侧壁和第二凹槽的侧壁延伸；在第一鳍型图案上的第一外延图案；在第二鳍型图案上的第二外延图案；以及在第三鳍型图案上的第三外延图案。

根据一个或更多个其它实施方式，一种用于制造半导体器件的方法包括：在基板上形成鳍型图案；在基板上形成覆盖鳍型图案的一部分的场绝缘膜；在场绝缘膜上形成交叉鳍型图案的栅电极；用栅电极作为掩模，通过去除场绝缘膜的一部分而在场绝缘膜内形成凹槽；沿栅电极的侧壁和凹槽的侧壁形成栅间隔物；在场绝缘膜上形成层间绝缘膜以围绕栅间隔物的侧壁并且使栅电极的上表面暴露；通过去除栅电极，在层间绝缘膜内形成沟槽；以及形成填充沟槽的替换金属栅。

附图说明

对于本领域的技术人员来说，通过参考附图详细描述示例性实施方式，特征将变得明显，其中：

图1示出半导体器件的一实施方式；

图2A和2B示出半导体器件的剖面图；

图3A和3B示出半导体器件的其它剖面图；

图4示出半导体器件的其它剖面图；

图5示出半导体器件的其它剖面图；

图6示出包括在栅绝缘膜和场绝缘膜之间的分界线的实施方式；

图7示出半导体器件的另一实施方式；

图8示出半导体器件的另一实施方式；

图9示出半导体器件的另一实施方式；

图10示出半导体器件的另一实施方式；

图11示出半导体器件的另一实施方式；