[发明专利]半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

在基板上的包括第一区域和第二区域的场绝缘膜；

在所述场绝缘膜的所述第二区域上的栅电极；

在所述场绝缘膜的所述第一区域中的凹槽，所述凹槽的底表面比所述第二区域的上表面更靠近所述基板；以及

沿所述栅电极的侧壁和所述凹槽的侧壁的栅间隔物。

2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中所述栅间隔物包括：

顺序堆叠在所述栅电极的所述侧壁上的内部间隔物和外部间隔物。

3.根据权利要求2所述的半导体器件，其中从所述栅电极的上表面到所述场绝缘膜的所述第二区域的上表面的距离小于从所述栅电极的所述上表面到所述外部间隔物的最低部分的距离。

4.如权利要求2所述的半导体器件，其中：

所述内部间隔物具有L形状，以及

所述外部间隔物具有I形。

5.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述场绝缘膜的所述第一区域上的半导体图案，

其中从所述栅电极的上表面到所述半导体图案的底表面的距离小于从所述栅电极的所述上表面到所述场绝缘膜的所述第二区域的上表面的距离。

6.根据权利要求5所述的半导体器件，还包括：

在所述半导体图案和所述场绝缘膜之间的气隙。

7.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述场绝缘膜的所述第二区域上的由所述栅间隔物限定的沟槽；以及

沿所述沟槽的侧壁和底表面延伸的高介电常数栅绝缘膜。

8.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：

在所述场绝缘膜的所述第一区域上的从所述栅间隔物突出的绝缘图案，其中所述绝缘图案基本上平行于所述场绝缘膜的所述第二区域的上表面。

9.根据权利要求1所述的半导体器件，其中从所述栅电极的上表面到所述场绝缘膜的所述第二区域的上表面的第一距离小于从所述栅电极的所述上表面到所述栅间隔物的最低部分的第二距离。

10.一种半导体器件，包括：

在基板上的彼此相邻的第一鳍型图案和第二鳍型图案；

场绝缘膜，覆盖所述第一鳍型图案的一部分和所述第二鳍型图案的一部分并且在所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案之间的所述基板上；

第一栅电极和第二栅电极，在所述场绝缘膜上且交叉所述第一鳍型图案和所述第二鳍型图案，所述第一栅电极邻近所述第二栅电极；

在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的所述场绝缘膜中的凹槽，所述凹槽的底表面比所述场绝缘膜的其上设置所述第一栅电极和第二栅电极的区域的上表面更靠近所述基板；

在所述凹槽的侧壁上且包括第一部分和第二部分的衬垫，所述衬垫的所述第一部分在所述第一栅电极的侧壁和所述第二栅电极的侧壁上并且所述衬垫的所述第二部分在所述第一鳍型图案的侧壁和所述第二鳍型图案的侧壁上；

第一外延图案，在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的所述第一鳍型图案上；以及

第二外延图案，在所述第一栅电极和所述第二栅电极之间的所述第二鳍型图案上。

11.根据权利要求10所述的半导体器件，其中所述衬垫不在所述凹槽的底表面的至少一部分上。

12.如权利要求10所述的半导体器件，其中所述衬垫的所述第一部分的高度大于所述衬垫的所述第二部分的高度。

13.根据权利要求10所述的半导体器件，还包括：

被所述衬垫、所述第一外延图案和所述第二外延图案围绕的气隙。