[发明专利]一种改善CMP缺陷的优化方法及系统

权利要求书

1.一种改善CMP缺陷的优化方法，其特征在于，包括：

进行版图的网格划分，并提取网格的等效参数；

根据所述等效参数和初始沟槽深度，获得金属填充后的芯片初始表面形貌；

在所述芯片初始表面形貌下进行芯片的CMP仿真，获得缺陷网格区域，所述缺陷网格区域为CMP仿真的缺陷所在的网格区域；

设置沟槽深度范围以及步长；

在沟槽深度范围内，以最小沟槽深度为初始值、所述步长增长沟槽深度，根据所述等效参数和不同的沟槽深度，分别获得不同沟槽深度下的所述缺陷网格区域的初始形貌，并分别进行缺陷网格区域的CMP仿真，从不同的CMP仿真结果中确定出缺陷得到改善的结果；

以缺陷改善时的沟槽深度作为在刻蚀工艺中缺陷网格区域优化后的沟槽深度。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，从不同的CMP仿真结果中确定出缺陷得到改善的结果，包括：

从不同的CMP仿真结果中选择最终形貌起伏最小的作为缺陷得到改善的结果。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述金属填充工艺为ECP铜电镀工艺。

4.根据权利要求1-3中任一项所述的方法，其特征在于，还包括工艺步骤：

进行沟槽的刻蚀，在所述缺陷区域采用优化后的沟槽深度，在所述缺陷网格区域之外的区域采用所述初始沟槽深度；

进行金属填充并进行CMP。

5.一种改善CMP缺陷的优化系统，其特征在于，包括：

等效参数获取单元，用于进行版图的网格划分，并提取网格的等效参数；

芯片初始表面形貌确定单元，用于根据所述等效参数和初始沟槽深度，确定金属填充后的芯片初始表面形貌；

缺陷网格区域获取单元，用于在所述芯片初始表面形貌下进行芯片的CMP仿真，获得缺陷网格区域，所述缺陷网格区域为CMP仿真的缺陷所在的网格区域；

参数设置单元，用于设置沟槽深度范围以及步长；

仿真单元，用于在沟槽深度范围内，以最小沟槽深度为初始值、所述步长增长沟槽深度，根据所述等效参数和不同的沟槽深度，分别获得不同沟槽深度下的所述缺陷网格区域的初始形貌，并分别进行缺陷网格区域的CMP仿真，从不同的CMP仿真结果中确定出缺陷得到改善的结果；缺陷网格区域沟槽深度确定单元，用于以缺陷改善时的沟槽深度作为在刻蚀工艺中缺陷网格区域优化后的沟槽深度。

6.根据权利要求5所述的系统，其特征在于，所述仿真单元中，从不同的CMP仿真结果中确定出缺陷得到改善的结果，包括：

从不同的CMP仿真结果中选择最终形貌起伏最小的作为缺陷得到改善的结果。

7.根据权利要求6所述的系统，其特征在于，所述金属填充工艺为ECP铜电镀工艺。