[发明专利]含热、电性能改善的再分布结构的芯片载体及半导体器件

说明书

一种芯片载体包括再分布结构，其中，所述再分布结构包括：沿水平方向延伸的介电层；布置在介电层之上并沿水平方向延伸的第一导电层；布置在介电层中并沿水平方向延伸的沟槽；以及填充沟槽的填充材料，其中，填充材料不同于介电层的材料。

技术领域

本公开总体上涉及芯片载体和半导体器件。具体地，本公开涉及包括具有改善的热和电性能的再分布结构的芯片载体和半导体器件。

背景技术

电子器件可包括构造成能够提供电流的路线选择和再分布的结构。形成这种再分布结构的部件的设计和尺寸可能与在电子器件的操作期间产生的电流的强度有关。电子器件的制造者寻求提供具有改善的热和电性能的解决方案。

发明内容

多个方面涉及一种芯片载体，所述芯片载体包括再分布结构，所述再分布结构包括：沿水平方向延伸的介电层；布置在介电层之上并沿水平方向延伸的第一导电层；布置在介电层中并沿水平方向延伸的沟槽；以及填充沟槽的填充材料，其中，所述填充材料不同于介电层的材料。

根据本发明的一个可选实施例，所述填充材料是导电的并且电耦接至第一导电层，其中，被填充的沟槽形成导电线路。

根据本发明的一个可选实施例，填充材料包括下述中的至少一种：碳；铜；金；镍；锡；铝；碳、铜、金、镍、锡、铝的合金。

根据本发明的一个可选实施例，填充材料是导热的，被填充的沟槽形成导热线路。

根据本发明的一个可选实施例，填充材料包括氮化硅、氮化硼、氧化铝和氮化铝中的至少一种。

根据本发明的一个可选实施例，被填充的沟槽构造成能够将第一电子部件热耦接至热传感器和散热器中的至少一个。

根据本发明的一个可选实施例，被填充的沟槽构造成能够使热能的传导路线绕过或远离第二电子部件。

根据本发明的一个可选实施例，所述芯片载体还包括：竖直地延伸穿过介电层的导电的过孔连接部，其中，第一导电层电耦接至所述过孔连接部。

根据本发明的一个可选实施例，所述芯片载体还包括：沿水平方向延伸并电耦接至第一导电层的第二导电层，其中，介电层布置在第一导电层与第二导电层之间，第一导电层和第二导电层构造成能够沿相同的水平方向传导电流。

根据本发明的一个可选实施例，所述芯片载体还包括：布置在介电层中并沿水平方向延伸的平行的多个沟槽，其中，所述多个沟槽中的每一个都填充有填充材料。

根据本发明的一个可选实施例，所述芯片载体包括：构造成能够安装半导体芯片的主表面；以及与所述主表面相反的构造成能够安装电接触元件的相反表面，其中，芯片载体构造成能够将半导体芯片电耦接至所述电接触元件。

多个方面涉及一种半导体器件，所述半导体器件包括：材料层；嵌入材料层中的半导体芯片；以及电耦接至半导体芯片的再分布结构。所述再分布结构包括：沿水平方向延伸的介电层；布置在介电层之上并沿水平方向延伸的导电层；布置在介电层中并沿水平方向延伸的沟槽；以及填充沟槽的填充材料，其中，所述填充材料不同于介电层的材料。

根据本发明的一个可选实施例，半导体芯片嵌入的材料层包括层合材料、环氧树脂、填充式环氧树脂、玻璃纤维填充式环氧树脂、酰亚胺、热塑性塑料、热固性塑料聚合物和共混聚合物中的至少一种。

根据本发明的一个可选实施例，填充材料是导电的并且电耦接至导电层，其中，被填充的沟槽形成导电线路。

根据本发明的一个可选实施例，填充材料是导热的，被填充的沟槽形成导热线路。

多个方面涉及一种制造再分布结构的方法，其中，所述方法包括下述行为：形成介电层，其中，所述介电层沿水平方向延伸；在介电层中形成沟槽，其中，所述沟槽沿水平方向延伸；用与介电层的材料不同的填充材料填充沟槽；以及在介电层之上形成导电层。