[发明专利]含热、电性能改善的再分布结构的芯片载体及半导体器件

权利要求书

1.一种芯片载体，其包括再分布结构，所述再分布结构包括：

沿水平方向延伸的介电层；

布置在介电层之上并沿水平方向延伸的第一导电层，其中，第一导电层的水平尺寸大于第一导电层的竖直尺寸；

布置在介电层中并沿水平方向延伸的沟槽，其中，沟槽的水平尺寸大于沟槽的竖直尺寸，且沟槽的水平尺寸不同于第一导电层的水平尺寸；以及

填充沟槽的填充材料，其中，所述填充材料不同于介电层的材料且构造成能提供沿水平方向的电流的传导；以及

竖直地延伸穿过介电层的导电的过孔连接部，其中，第一导电层电耦接至所述过孔连接部。

2.根据权利要求1所述的芯片载体，其特征在于，所述填充材料构造成能提供沿水平方向的热能的传导。

3.根据权利要求1或2所述的芯片载体，其特征在于，所述填充材料是导电的并且电耦接至第一导电层，其中，被填充的沟槽形成导电线路。

4.根据权利要求1或2所述的芯片载体，其特征在于，填充材料包括下述中的至少一种：碳；铜；金；镍；锡；铝；碳、铜、金、镍、锡、铝的合金。

5.根据权利要求1或2所述的芯片载体，其特征在于，填充材料是导热的，被填充的沟槽形成导热线路。

6.根据权利要求5所述的芯片载体，其特征在于，填充材料包括氮化硅、氮化硼、氧化铝和氮化铝中的至少一种。

7.根据权利要求1、2、6中任一项所述的芯片载体，其特征在于，被填充的沟槽构造成能够将第一电子部件热耦接至热传感器和散热器中的至少一个。

8.根据权利要求1、2、6中任一项所述的芯片载体，其特征在于，被填充的沟槽构造成能够使热能的传导路线绕过或远离第二电子部件。

9.根据权利要求1、2、6中任一项所述的芯片载体，其特征在于，所述芯片载体还包括：

沿水平方向延伸并电耦接至第一导电层的第二导电层，

其中，介电层布置在第一导电层与第二导电层之间，

第一导电层和第二导电层构造成能够沿相同的水平方向传导电流。

10.根据权利要求1、2、6中任一项所述的芯片载体，其特征在于，所述芯片载体还包括：

布置在介电层中并沿水平方向延伸的平行的多个沟槽，其中，所述多个沟槽中的每一个都填充有填充材料。

11.根据权利要求1、2、6中任一项所述的芯片载体，其特征在于，所述芯片载体包括：

构造成能够安装半导体芯片的主表面；以及

与所述主表面相反的构造成能够安装电接触元件的相反表面，其中，芯片载体构造成能够将半导体芯片电耦接至所述电接触元件。

12.一种半导体器件，其包括根据权利要求1所述的芯片载体，且还包括：

材料层；以及

嵌入材料层中的半导体芯片；

其中，所述再分布结构电耦接至半导体芯片。

13.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，半导体芯片嵌入的材料层包括层合材料、酰亚胺、热塑性塑料、热固性塑料聚合物和共混聚合物中的至少一种。

14.根据权利要求12或13所述的半导体器件，其特征在于，填充材料是导电的并且电耦接至导电层，其中，被填充的沟槽形成导电线路。

15.根据权利要求12或13所述的半导体器件，其特征在于，填充材料是导热的，被填充的沟槽形成导热线路。

16.根据权利要求12所述的半导体器件，其特征在于，半导体芯片嵌入的材料层包括环氧树脂。