[发明专利]一种宽禁带功率半导体模块封装结构有效
申请号: | 201710397945.5 | 申请日: | 2017-05-31 |
公开(公告)号: | CN108987354B | 公开(公告)日: | 2020-07-24 |
发明(设计)人: | 沈杰;王传宇;曹伟杰;吴跃飞;徐腾 | 申请(专利权)人: | 乐金电子研发中心(上海)有限公司 |
主分类号: | H01L23/31 | 分类号: | H01L23/31;H01L23/48 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 汤在彦;乔媛 |
地址: | 201206 上海市*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 宽禁带 功率 半导体 模块 封装 结构 | ||
1.一种宽禁带功率半导体模块封装结构,其特征在于,包括由驱动隔离保护电路和宽禁带功率半导体器件组成的单器件结构宽禁带功率半导体模块、半桥结构宽禁带功率半导体模块或全桥结构宽禁带功率半导体模块;
所述驱动隔离保护电路和宽禁带功率半导体器件被封装在多层封装层结构中的不同层中;所述多层封装层结构将所述驱动隔离保护电路和宽禁带功率半导体器件封装为一体;
所述驱动隔离保护电路设置有脉冲宽度调制信号输入接口、驱动电源输入接口以及驱动隔离控制接口;所述驱动隔离控制接口通过多层封装层结构的过孔穿过多层封装层结构中的封装层,与宽禁带功率半导体器件的门极连接;所述脉冲宽度调制信号输入接口和驱动电源输入接口分别通过多层封装层结构的过孔穿过多层封装层结构中的封装层,在多层封装层结构的上表面形成脉冲宽度调制信号输入接口连接点和驱动电源输入接口连接点;所述宽禁带功率半导体器件的漏极和源极露出所述多层封装层结构,在多层封装层结构的上表面形成功率回路接口连接点。
2.根据权利要求1所述的宽禁带功率半导体模块封装结构,其特征在于,所述多层封装层结构采用低温共烧陶瓷材料制成。
3.根据权利要求2所述的宽禁带功率半导体模块封装结构,其特征在于,所述多层封装层结构的下表面通过导热填充材料与散热器连接。
4.根据权利要求3所述的宽禁带功率半导体模块封装结构,其特征在于,所述多层封装层结构的上表面的脉冲宽度调制信号输入接口连接点、驱动电源输入接口连接点和功率回路接口连接点与外部印刷电路板的电路布线连接。
5.根据权利要求4所述的宽禁带功率半导体模块封装结构,其特征在于,所述单器件结构宽禁带功率半导体模块,包括一第一驱动隔离保护电路和第一组宽禁带功率半导体器件;所述第一组宽禁带功率半导体器件包括一个宽禁带功率半导体器件;
所述第一驱动隔离保护电路设置有所述脉冲宽度调制信号输入接口、驱动电源输入接口、驱动隔离控制接口和功率接地接口;所述脉冲宽度调制信号输入接口、驱动电源输入接口、驱动隔离控制接口和功率接地接口通过多层封装层结构的过孔穿过多层封装层结构中的封装层,在多层封装层结构的上表面露出,形成脉冲宽度调制信号输入接口连接点、驱动电源输入接口连接点、驱动隔离控制接口连接点和功率接地接口连接点;所述宽禁带功率半导体器件的漏极、源极和门极露出所述多层封装层结构,在多层封装层结构的上表面形成漏极连接点、源极连接点和门极连接点;
所述脉冲宽度调制信号输入接口连接点、驱动电源输入接口连接点、驱动隔离控制接口连接点、功率接地接口连接点、漏极连接点、源极连接点和门极连接点与外部印刷电路板的电路布线焊接,使得脉冲宽度调制信号输入接口连接点接入外部脉冲宽度调制信号,使得驱动电源输入接口连接点接入外部驱动电源,使得驱动隔离控制接口连接点与门极连接点连接,使得功率接地接口连接点与源极连接点连接,使得源极连接点和漏极连接点形成功率回路接口连接点与外部应用电路连接。
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