[发明专利]一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及电路板制造技术领域，具体涉及一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法。

背景技术

常规的电源电子模块中，电源半导体芯片，例如MOSFET或IGBT芯片通常采用引线键合方式与基板连接。然而，由于其较长的互连尺寸，在开关电源中容易产生较大的应力和较大的电磁干扰(EMI)噪声。另外，随着电力电子半导体器件的快速发展，开关频率越来越高，装置体积进一步减小，寄生参数对电源性能和可靠性的影响也越来越显著，器件的功耗也越来越大。将电源芯片直接埋入印刷线路板内部，可以有效解决以上问题。

但是，电源芯片通常包含铝材质的电极(以后称为铝电极)，而铝的化学性质决定了铝电极不能与电路板的制作工艺兼容，如铝电极表面不能采用激光加工盲孔，铝电极在蚀刻等工艺中会被化学物质腐蚀损坏等。

发明内容

本发明要解决的技术问题是：本发明实施例提供一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法，可以使带有铝电极的裸芯片与电路板的制作工艺兼容。

一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法，包括：A.在电路板的芯材开设通孔，通孔的周侧开设有多个槽；B.将裸芯片置于通孔中；其中，裸芯片的一面具有铝电极，另一面为非铝电极；铝电极至少包括三层金属层：铝层、铜层、铝层，铜层位于中间层，铜层的厚度在5um以上；裸芯片的周侧伸出支撑臂，并使支撑臂放置于槽内；C.在裸芯片的侧面与通孔的侧面的缝隙中、支撑臂的周侧及上部填充绝缘介质，固定裸芯片；D.电镀前处理，去除铝电极表面的铝层，漏出铜层，在芯材的2两面镀铜；E.制作芯材两面的线路。

优选的，步骤E之后，还包括：

F.将制作完线路的芯材与其它已经制完电路的覆铜板压合、钻孔、电镀，制作导电孔和表层线路。

优选的，步骤C包括：

C1：在埋入裸芯片的芯材的一面印刷感光树脂；

C2：通过曝光显影，将裸芯片的侧面与通孔的侧面、支撑臂的周侧及上部的缝隙中的感光树脂固化，去除其它部位的感光树脂。

优选的，步骤A之前还包括：

A1：蚀刻通孔两面及通孔周边的铜层、蚀刻槽上部的铜层；

步骤C2之后还包括：

C3：将感光树脂研磨至与芯材的铜层平齐。

优选的，裸芯片的另一面为铜电极、金电极、银电极或镍钯金电极。

优选的，铜层与底层铝层和上层铝层的交界面设置有凹凸度为1～2um的凹坑和凸起，铝层的铝和铜层的铜交错填平凹坑和凸起。

优选的，裸芯片内部设置有纵横交错的加强筋，加强筋从裸芯片的周侧伸出成支撑臂。

本发明的有益效果是：一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法，包括：A.在电路板的芯材开设通孔，通孔的周侧开设有多个槽；B.将裸芯片置于通孔中；其中，裸芯片的一面具有铝电极，另一面为非铝电极；铝电极至少包括三层金属层：铝层、铜层、铝层，铜层位于中间层，铜层的厚度在5um以上；裸芯片的周侧伸出支撑臂，并使支撑臂放置于槽内；C.在裸芯片的侧面与通孔的侧面的缝隙中、支撑臂的周侧及上部填充绝缘介质，固定裸芯片；D.电镀前处理，去除铝电极表面的铝层，漏出铜层，在芯材的2两面镀铜；E.制作芯材两面的线路。在裸芯片进入电路板生产工艺前，在铝电极的生产工艺过程中增加，在铝电极层上添加铜层，同时为了广泛的适应性，在铜层上再添加铝层，铜层表面的铝层在电路板工艺处理中，可以通过前处理去除，漏出铜层，铜层能够适应电路的生产工艺流程，可以使带有铝电极的裸芯片与电路板的制作工艺兼容。

附图说明

下面结合附图对本发明的高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法作进一步说明。

图1是本发明一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法的流程图。

具体实施方式

下面结合附图1对本发明一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法作进一步说明。

一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法，包括：A.在电路板的芯材开设通孔，通孔的周侧开设有多个槽；B.将裸芯片置于通孔中；其中，裸芯片的一面具有铝电极，另一面为非铝电极；铝电极至少包括三层金属层：铝层、铜层、铝层，铜层位于中间层，铜层的厚度在5um以上；裸芯片的周侧伸出支撑臂，并使支撑臂放置于槽内；C.在裸芯片的侧面与通孔的侧面的缝隙中、支撑臂的周侧及上部填充绝缘介质，固定裸芯片；D.电镀前处理，去除铝电极表面的铝层，漏出铜层，在芯材的2两面镀铜；E.制作芯材两面的线路。