[发明专利]一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法

权利要求书

1.一种高强度裸芯片埋入式电路板的制造方法，其特征在于，包括：

A.在电路板的芯材开设通孔，所述通孔的周侧开设有多个槽；

B.将裸芯片置于所述通孔中；其中，所述裸芯片的一面具有铝电极，另一面为非铝电极；所述铝电极至少包括三层金属层：铝层、铜层、铝层，所述铜层位于中间层，所述铜层的厚度在5um以上；所述裸芯片的周侧伸出支撑臂，

并使所述支撑臂放置于所述槽内；

C.在所述裸芯片的侧面与所述通孔的侧面的缝隙中、所述支撑臂的周侧及上部填充绝缘介质，固定所述裸芯片；

D.电镀前处理，去除所述铝电极表面的铝层，漏出铜层，在所述芯材的2两面镀铜；

E.制作芯材两面的线路。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤E之后，还包括：

F.将所述制作完线路的芯材与其它已经制完电路的覆铜板压合、钻孔、电镀，制作导电孔和表层线路。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述步骤C包括：

C1：在埋入裸芯片的芯材的一面印刷感光树脂；

C2：通过曝光显影，将所述裸芯片的侧面与所述通孔的侧面、所述支撑臂的周侧及上部的缝隙中的感光树脂固化，去除其它部位的感光树脂。

4.根据权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述步骤A之前还包括：

A1：蚀刻所述通孔两面及通孔周边的铜层、蚀刻所述槽上部的铜层；

所述步骤C2之后还包括：

C3：将所述感光树脂研磨至与芯材的铜层平齐。

5.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述裸芯片的另一面为铜电极、金电极、银电极或镍钯金电极。

6.根据权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述铜层与底层铝层和上层铝层的交界面设置有凹凸度为1～2um的凹坑和凸起，所述铝层的铝和铜层的铜交错填平所述凹坑和凸起。

7.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述裸芯片内部设置有纵横交错的加强筋，所述加强筋从所述裸芯片的周侧伸出成所述支撑臂。