[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

说明书

一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。该阵列基板的制作方法包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成半导体层；在半导体层上沉积刻蚀阻挡层材料；在刻蚀阻挡层材料上形成掩模图案；以掩模图案为掩模对刻蚀阻挡层材料采用湿法刻蚀以形成刻蚀阻挡层；以掩模图案为掩模对半导体层采用干法刻蚀以形成有源层，其中，有源层包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域，刻蚀阻挡层在衬底基板上的正投影与有源层的第一区域在衬底基板上的正投影完全重合。采用该制作方法，既可以增大开态电流和电子迁移率，也可以避免数据线与栅线或者公共电极线之间发生短路，从而提升产品的良率。

技术领域

本发明至少一个实施例涉及一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。

背景技术

低温多晶硅(Low Temperature Poly-Silicon，LTPS)相比于非晶硅具有较高的电子迁移率及稳定性，其电子迁移率可达非晶硅的几十甚至几百倍。因此，采用低温多晶硅材料形成薄膜晶体管的技术得到了迅速发展。由低温多晶硅衍生的新一代液晶显示装置(Liquid Crystal Display，LCD)或有机电致发光显示装置(Organic Light-EmittingDiode，OLED)成为重要的显示技术，其中的有机电致发光显示装置具有超薄、低功耗、自身发光等特点，备受用户的青睐。在LTPS技术中采用的顶栅结构具有工艺复杂以及成本不易控制的缺点，因此，只需4-6步掩模工艺即可完成的底栅型低温多晶硅薄膜晶体管具有很大的成本优势。为了控制漏电流的大小，底栅型的低温多晶硅薄膜晶体管一般采用具有刻蚀阻挡层(Etch Stop Layer，ESL)的结构。ESL型薄膜晶体管采用刻蚀阻挡层既可以避免背沟道的损伤，也可以降低沟道的漏电流。

发明内容

本发明的至少一实施例提供一种阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置。采用本发明实施例提供的阵列基板的制作方法，一方面可以增加薄膜晶体管中源漏极与有源层的接触面积，进而增大开态电流和电子迁移率，另一方面可以减少对栅极绝缘层的过刻，避免数据线与栅线或者公共电极线之间发生短路，从而提升产品的良率。

本发明的至少一实施例提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供衬底基板；在衬底基板上形成半导体层；在半导体层上沉积刻蚀阻挡层材料；在刻蚀阻挡层材料上形成掩模图案；以掩模图案为掩模对刻蚀阻挡层材料采用湿法刻蚀以形成刻蚀阻挡层；以掩模图案为掩模对半导体层采用干法刻蚀以形成有源层，其中，有源层包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域，刻蚀阻挡层在衬底基板上的正投影与有源层的第一区域在衬底基板上的正投影完全重合。

例如，在本发明的一个实施例中，形成刻蚀阻挡层包括：刻蚀未被掩模图案覆盖的以及位于有源层的第二区域上的刻蚀阻挡层材料以形成位于有源层的第一区域上的刻蚀阻挡层。

例如，在本发明的一个实施例中，刻蚀阻挡层的边缘与有源层的边缘沿平行于衬底基板的方向的最小距离为0.5-1.5μm。

例如，在本发明的一个实施例中，阵列基板的制作方法还包括：在刻蚀阻挡层上形成源极和漏极，其中，源极和漏极分别与部分第二区域相接触。

例如，在本发明的一个实施例中，湿法刻蚀过程中采用的刻蚀液对刻蚀阻挡层材料与半导体层的刻蚀选择比大于1000:1。

例如，在本发明的一个实施例中，刻蚀阻挡层的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的一种或组合。

例如，在本发明的一个实施例中，半导体层为多晶硅层，在衬底基板上形成半导体层包括：在衬底基板上沉积非晶硅层，利用激光退火的方式将非晶硅层晶化形成多晶硅层。

本发明的至少一实施例提供一种阵列基板，包括衬底基板、设置在衬底基板上的有源层以及设置在有源层远离衬底基板的一侧的刻蚀阻挡层，有源层包括第一区域以及围绕第一区域的第二区域，刻蚀阻挡层在衬底基板上的正投影与有源层的第一区域在衬底基板上的正投影完全重合。