[发明专利]阵列基板的制作方法、阵列基板及显示装置

权利要求书

1.一种阵列基板的制作方法，包括：

提供衬底基板；

在所述衬底基板上形成半导体层；

在所述半导体层上沉积刻蚀阻挡层材料；

在所述刻蚀阻挡层材料上形成掩模图案；

以所述掩模图案为掩模对所述刻蚀阻挡层材料采用湿法刻蚀以形成刻蚀阻挡层；

以所述掩模图案为掩模对所述半导体层采用干法刻蚀以形成有源层，

其中，所述有源层包括第一区域以及围绕所述第一区域的第二区域，所述刻蚀阻挡层在所述衬底基板上的正投影与所述有源层的第一区域在所述衬底基板上的正投影完全重合。

2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其中，所述形成刻蚀阻挡层包括：

刻蚀未被所述掩模图案覆盖的以及位于所述有源层的第二区域上的所述刻蚀阻挡层材料以形成位于所述有源层的第一区域上的所述刻蚀阻挡层。

3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其中，所述刻蚀阻挡层的边缘与所述有源层的边缘沿平行于所述衬底基板的方向的最小距离为0.5-1.5μm。

4.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，还包括：

在所述刻蚀阻挡层上形成源极和漏极，

其中，所述源极和所述漏极分别与部分所述第二区域相接触。

5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制作方法，其中，所述湿法刻蚀过程中采用的刻蚀液对所述刻蚀阻挡层材料与所述半导体层的刻蚀选择比大于1000:1。

6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制作方法，其中，所述刻蚀阻挡层的材料包括硅的氧化物和硅的氮化物中的一种或组合。

7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其中，所述半导体层为多晶硅层，在所述衬底基板上形成所述半导体层包括：

在所述衬底基板上沉积非晶硅层，利用激光退火的方式将所述非晶硅层晶化形成所述多晶硅层。