[发明专利]铝化合物、通过使用其形成薄膜的方法、和制造集成电路器件的方法

说明书

对相关申请的交叉引用

本申请要求2016年9月13日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2016-0118210的权益，其公开内容全部引入本文中作为参考。

技术领域

本发明构思的实例实施方式涉及铝化合物、使用其形成薄膜的方法、和/或制造集成电路器件的方法，且更具体地，涉及在室温下是液体的铝化合物、使用其形成薄膜的方法、和/或制造集成电路器件的方法。

背景技术

由于电子技术的发展，近年来半导体器件的尺寸缩小正在快速地进行，且因而，构成电子器件的图案的结构正在变得更复杂和更精细。连同这一起，存在开发这样的原材料化合物的需要，所述原材料化合物能够通过如下在复杂且精细的3维结构上形成含铝薄膜至均匀的厚度：在所述含铝薄膜的形成时保证热稳定性。

发明内容

本发明构思的实例实施方式提供铝杂环化合物，其能够具有改善的热稳定性和相对高的挥发性并且在使用所述铝杂环化合物作为源材料形成含铝薄膜时提供改善的台阶覆盖、改善的工艺(过程)稳定性和大规模生产能力。

本发明构思的实例实施方式还提供形成含铝薄膜的方法和制造集成电路器件的方法，所述形成含铝薄膜的方法可提供改善的台阶覆盖、工艺稳定性、和大规模生产能力，所述制造集成电路器件的方法可提供改善的电性质。

根据本发明构思的实例实施方式，铝化合物由化学式(I)表示：

化学式(I)

其中R¹、R²、R³、R⁴、R⁵、R⁶、R⁷、和R⁸各自独立地为氢原子、卤素原子、C₁-C₇取代或未取代的烷基、C₂-C₇取代或未取代的烯基、C₂-C₇取代或未取代的炔基、或C₄-C₂₀取代或未取代的芳族、杂芳族或脂环族烃基。

根据本发明构思的实例实施方式，形成薄膜的方法包括使用由化学式(I)表示的铝化合物在基底上形成含铝膜。

根据本发明构思的实例实施方式，制造集成电路器件的方法包括：在基底上形成下部结构，和使用由化学式(I)表示的铝化合物在约300℃-约600℃的温度下在所述下部结构上形成含铝膜。

根据本发明构思的实例实施方式，形成薄膜的方法包括使用包括铝和氮的杂环前体在基底上形成含铝膜，所述杂环前体包括具有超过两个碳原子的杂环型环。

根据本发明构思的实例实施方式，由于所述铝杂环化合物在室温下是液态的并且具有改善的热稳定性和相对高的挥发性，因此促进所述铝杂环化合物的处理和转移。因此，所述铝杂环化合物适于用作用于制造高度集成电路器件的形成薄膜的材料。另外，由于所述铝杂环化合物抑制外来物质(例如，留在薄膜中的碳残余物)，因此可获得改善的品质的含铝膜。根据本发明构思的实例实施方式，可使用在工艺稳定性和大规模生产能力方面具有优势的工艺条件形成改善的品质的含铝膜，并且可使用所述含铝膜制造能够提供改善的电性质的集成电路器件。

附图说明

由结合附图考虑的下列详细描述，将更清楚地理解本发明构思的实例实施方式，在附图中：

图1为根据本发明构思的实例实施方式的形成薄膜的方法的流程图；

图2为根据本发明构思的实例实施方式的形成含铝膜的实例方法的流程图；

图3A-3H为说明根据本发明构思的实例实施方式的制造集成电路器件的顺序工艺的横截面图；

图4A-4C为显示能够被用于代替图3G和3H中显示的栅介电膜的其它栅介电膜的实例结构的横截面图；

图5A-5J为说明根据本发明构思的实例实施方式的制造集成电路器件的顺序工艺的横截面图；

图6A-6D为说明根据本发明构思的实例实施方式的制造集成电路器件的顺序工艺的横截面图；

图7A-7C为用于说明根据本发明构思的实例实施方式的制造集成电路器件的方法的图，且具体地，图7A为集成电路器件的平面图，图7B为图7A的集成电路器件的透视图，且图7C显示分别沿着图7A的线X-X'和Y-Y'所取的集成电路器件的横截面图；

图8为用于说明根据本发明构思的实例实施方式的制造集成电路器件的方法的透视图；